[实用新型]移位寄存器单元、栅极驱动装置及其应用的液晶显示器

说明书

技术领域

本实用新型涉及液晶显示技术，特别是指一种移位寄存器单元、栅极驱动装置及其应用的液晶显示器。

背景技术

在薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD，Thin Film Transistor Liquid Crystal Display)中，通常通过栅极驱动装置向像素区域的各个薄膜晶体管(TFT，Thin Film Transistor)的栅极提供栅极驱动信号。栅极驱动装置可以通过阵列工艺形成在液晶显示器的阵列基板上，这种集成工艺不仅节省了成本，而且可以做到面板(Panel)两边对称的美观设计，同时，也省去了栅极(Gate)集成电路(IC，Integrated Circuit)的绑定(Bonding)区域以及扇出(Fan-out)的布线空间，从而可以实现窄边框的设计；并且，这种集成工艺还可以省去Gate方向的Bonding工艺，从而提高了产能和良率。

图1为传统的采用一个TFT作为输出控制单元的移位寄存器单元的电路图，图2为图1所示的电路工作时序示意图。结合图1及图2，传统的采用一个TFT作为输出控制单元的移位寄存器单元的电路的工作原理如下：当信号输入(INPUT)端的信号为高电平时，M1开启对PU节点充电，当时钟信号端的信号为高电平时，M4导通，输出(OUTPUT)端输出时钟信号的脉冲，同时由于C1的电容耦合(Bootstrapping)作用，将PU节点的电位进一步拉高；之后，复位信号输入(RESET)端的高电平信号将M2及M3开启，对PU节点及OUTPUT端进行放电；接着，通过时钟信号端的高电平信号控制下拉单元的电路器件对PU节点及OUTPUT端进行放电，从而保证了在该行的移位寄存器单元的非工作时间内不会有噪声(Noise)产生；这里，INPUT端的信号为上一行的输出信号，RESET端的信号为下一行的输出信号，采用M4作为输出控制单元。但是，由于采用这种集成工艺形成的液晶显示器栅极驱动装置，其移位寄存器单元的TFT是由非晶硅材料制作，而图1所示的移位寄存器单元的时钟信号端的占空比(Duty Cycle)一般为50％，使得下拉单元中的TFT器件的工作时间也接近50％，如此，在长期工作的过程中，受电压的应力(stress)作用，TFT器件的阈值电压会产生移动，从而会使得栅极驱动装置集成电路的驱动能力减弱，即：会造成移位寄存器单元的电路失效，进而会缩短TFT的工作寿命。这里，所述非晶硅也就是指a-Si。另外，为了保证驱动像素区的负载，M4的尺寸(Size)一般会设计很大，如此，会造成时钟信号端的寄生电容也比较大，从而会增加移位寄存器单元的功耗。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型的主要目的在于提供一种移位寄存器单元、栅极驱动装置及其应用的液晶显示器，能提高移位寄存器的工作寿命，并能降低移位寄存器电路的功耗。

为达到上述目的，本实用新型的技术方案是这样实现的：

本实用新型提供了一种移位寄存器单元，包括：输入多个信号的输入模块、生成栅极驱动信号的栅极信号生成模块、输出栅极驱动信号的输出模块、以及拉低栅线电位的电平拉低控制模块；所述栅极信号生成模块与所述输入模块及所述输出模块相连接，所述电平拉低控制模块与所述输入模块及所述栅极信号生成模块相连接，所述输入模块包括：两个以上时钟输入端，所述栅极信号生成模块包括：两个以上输出控制单元；其中，

所述时钟信号输入端与所述电平拉低控制模块相连接；

每个所述输出控制单元与对应的时钟信号输入端、上拉节点及所述输出模块相连接。

上述方案中，所述输出控制单元包括：一个以上薄膜晶体管。

上述方案中，第一输出控制单元包括：

第四薄膜晶体管，其源极与所述输出模块相连接，栅极与所述上拉节点相连接；

第六薄膜晶体管，其源极与第四薄膜晶体管的漏极相连接，漏极及栅极均与对应的时钟信号输入端相连接；

第二输出控制单元包括：

第五薄膜晶体管，其源极与所述输出模块相连接，栅极与所述上拉节点相连接；

第七薄膜晶体管，其源极与第五薄膜晶体管的漏极相连接，漏极及栅极均与对应的时钟信号输入端相连接。

上述方案中，所述栅极信号生成模块还包括：

第一薄膜晶体管，其栅极与漏极均与所述输入模块的信号输入端相连接，源极与所述上拉节点相连接；

第二薄膜晶体管，其栅极与所述输入模块的复位信号输入端相连接，漏极与所述上拉节点相连接，源极与所述输入模块的低电压信号输入端相连接；