[实用新型]超声波清洗容器

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种容器，尤其涉及一种超声波清洗容器。

背景技术

CMP指化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing)，或称为化学机械抛光(Chemical Mechanical Planarization)。当今，CMP技术最广泛的应用是在集成电路(IC)和超大规模集成电路(ULSI)中对晶圆进行抛光。CMP技术利用磨损中的“软磨硬”原理，即用较软的材料来进行抛光以实现高质量的表面抛光，在一定压力及研磨液(slurry)存在下，被研磨的工件相对于研磨垫(pad)作相对运动，借助于纳米粒子的研磨作用与氧化剂的腐蚀作用之间的有机结合，在被研磨的工件表面形成光洁表面。

而超声波清洗是进行化学机械研磨抛光工艺的第一步。因此，超声波容器的参数设置对于清洗过程特别重要，而参数的优化又建立于硬件的设计上，所以，对于超声波清洗硬件的优化意义特别重大。

如图1所示，化学机械研磨设备的超声波清洗容器的结构包括：外容器110、内容器120和若干液位传感器130，所述内容器120位于所述外容器110的内部，所述若干液位传感器130固定于所述外容器110的外壁上。

由此可见，现有超声波清洗容器的外容器110的容量和液位传感器130的位置由生产设计决定，具有以下缺点：

1.液位传感器130固定在外容器110的外壁上，不能根据外容器的容量需求调整液位传感器130的位置。

2.外容器110的容积设计大小和实际容量具有不可知性，不能直观显示；

当优化超声波参数时，由于上述两种设计的限制，会导致外容器110内溶液过少易于挥发甚至抽空，或者导致外容器110内溶液过多容易残留。

因此，如何提供一种可根据容量需求而单独调整液位传感器位置的超声波清洗容器是本领域技术人员亟待解决的一个技术问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种可根据容量需求而单独调整液位传感器位置的超声波清洗容器。

为了达到上述的目的，本实用新型采用如下技术方案：

一种超声波清洗容器，包括外容器、内容器和若干液位传感器，所述内容器位于所述外容器的内部，还包括传感器调整定位机构，所述若干液位传感器通过传感器调整定位机构安装于所述外容器的外壁。

优选地，在上述的超声波清洗容器中，所述传感器调整定位机构包括滑槽和若干与所述液位传感器相应数量的定位组件，所述滑槽固定设置于所述外容器的外壁，所述定位组件包括定位片和固定片，所述定位片夹设于所述滑槽内，所述固定片设置于所述滑槽的外侧，所述液位传感器的外周面设有外螺纹，所述定位片和固定片分别设有供相应的所述液位传感器旋入的螺纹孔，所述液位传感器分别依次穿设于相应的所述固定片和相应的所述定位片。

优选地，在上述的超声波清洗容器中，所述滑槽包括一对开口相对的凹槽，所述凹槽之间的距离大于所述液位传感器的外径。

优选地，在上述的超声波清洗容器中，所述若干液位传感器由下至上依次设置于所述外容器的外壁。

优选地，在上述的超声波清洗容器中，所述超声波清洗容器包括四只液位传感器，由下至上依次是低低液位传感器、低液位传感器、高液位传感器和高高液位传感器。

优选地，在上述的超声波清洗容器中，还包括一连通器，所述连通器与所述外容器的底部相连。

在上述的超声波清洗容器中，所述连通器采用透明材质。

在上述的超声波清洗容器中，所述连通器的外表面设有刻度。

本实用新型的超声波清洗容器，通过传感器调整定位机构将液位传感器安装于所述外容器的外壁，因此，可以根据容量需求而单独调整液位传感器的位置(高度)，从而改变外容器的实际使用容量，防止外容器因内部溶液过少而发生挥发甚至抽空现象，并可防止外容器因内部溶液过多而发生溶液残留现象，同时，也可以有效提高该超声波清洗容器的应用场合。另外，通过设置带有刻度的透明的连通器，可以直观读取外容器内的液体实际容量，以方便操作人员使用。

附图说明

本实用新型的超声波清洗容器由以下的实施例及附图给出。

图1是现有的超声波清洗容器的结构示意图；

图2是本实用新型一实施例的超声波清洗容器的结构示意图；

图3是本实用新型一实施例的单个液位传感器和传感器调整定位机构的装配示意图。

具体实施方式

以下将对本实用新型的超声波清洗容器作进一步的详细描述。