[实用新型]蚀刻装置有效
| 申请号： | 201120335146.3 | 申请日： | 2011-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN202205723U | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 杨勇;杜亮;李强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 蚀刻 装置 | ||
1.一种蚀刻装置，包括一蚀刻槽和一对槽盖，所述一对槽盖设置于所述蚀刻槽的上方，所述一对槽盖分别和所述蚀刻槽的顶部两侧活动连接，其特征在于，还包括一对内盖，所述一对内盖设置于所述蚀刻槽的上方并位于所述一对槽盖的下方，且所述一对内盖分别和所述蚀刻槽的顶部两侧活动连接，所述一对内盖的相对端分别开设有一对相对的槽口。
2.根据权利要求1所述的蚀刻装置，其特征在于，还包括一对内盖翻转机构，所述一对内盖分别通过对应的内盖翻转机构和所述蚀刻槽的顶部两侧活动连接，所述内盖翻转机构包括第一气缸、第一连接杆、第一转轴和一对第一轴承，所述第一转轴通过所述一对第一轴承设置于所述蚀刻槽的顶部两侧，所述第一气缸的输出轴和所述第一连接杆的一端连接，所述第一连接杆的另一端和所述第一转轴固定连接，所述第一转轴还分别和对应的内盖固定连接。
3.根据权利要求2所述的蚀刻装置，其特征在于，还包括一第一固定架，所述第一气缸安装在所述第一固定架上。
4.根据权利要求1所述的蚀刻装置，其特征在于，还包括一对槽盖翻转机构，所述一对槽盖分别通过对应的槽盖翻转机构和所述蚀刻槽的顶部两侧活动连接，所述槽盖翻转机构包括第二气缸、第二连接杆、第二转轴和一对第二轴承，所述第二转轴通过所述一对第二轴承设置于所述蚀刻槽的顶部两侧，所述第二气缸的输出轴和所述第二连接杆的一端连接，所述第二连接杆的另一端和所述第二转轴固定连接，所述第二转轴还分别和对应的槽盖固定连接。
5.根据权利要求4所述的蚀刻装置，其特征在于，还包括一第二固定架，所述第二气缸安装在所述第二固定架上。
6.根据权利要求1～5中任意一项所述的蚀刻装置，其特征在于，所述一对内盖的相对端的两侧开设有所述相对的槽口。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
