[实用新型]蚀刻装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体领域，尤其涉及一种蚀刻装置。

背景技术

在半导体领域内，蚀刻(etching)技术是指将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。蚀刻技术可以分为湿蚀刻(wet etching)和干蚀刻(dry etching)两类。通常所指蚀刻也称光化学蚀刻(photochemical etching)，是指通过曝光制版、显影后，将要蚀刻区域的保护膜去除，在蚀刻时接触化学溶液，达到溶解腐蚀的作用，形成凹凸或者镂空成型的效果。

请参阅图1和图2，图1和图2所示分别是现有的蚀刻装置的关闭和打开状态时的结构示意图，由图1和图2可见，现有的蚀刻装置包括一蚀刻槽110和一对槽盖120，所述一对槽盖120设置于所述蚀刻槽110的上方，所述一对槽盖120分别和所述蚀刻槽110的顶部两侧活动连接。在对晶圆进行蚀刻时，将若干晶圆放置于一晶舟130内，通过两只机械手臂140夹持所述晶舟130，将所述晶舟130放入蚀刻槽110中。

如果晶圆的蚀刻工艺的反应时间较长，则机械手臂140会放下晶舟130，并且机械手臂140会撤离所述蚀刻槽110，然后，关闭槽盖120，所述晶舟130中的晶圆在蚀刻槽110中进行蚀刻反应。

但是，如果晶圆的蚀刻工艺的反应时间较短，例如小于120S时，一般要求机械手臂140始终夹持所述晶舟130，以便及时将带有晶圆的晶舟130从所述蚀刻槽110中撤离。在这种情况下，由于机械手臂140始终夹持着所述晶舟130，因此，无法将槽盖120盖住，导致蚀刻槽110内的蚀刻液因蒸发而大量流失，致使晶圆的蚀刻速率显著降低，使得产品因蚀刻速率的不稳定性而导致良率下降

因此，如何提供一种可以晶圆蚀刻速率稳定性的蚀刻装置是本领域技术人员亟待解决的一个技术问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种可以提高蚀刻速率稳定性的蚀刻装置。

为了达到上述的目的，本实用新型采用如下技术方案：

一种蚀刻装置，包括一蚀刻槽和一对槽盖，所述一对槽盖设置于所述蚀刻槽的上方，所述一对槽盖分别和所述蚀刻槽的顶部两侧活动连接，还包括一对内盖，所述一对内盖设置于所述蚀刻槽的上方并位于所述一对槽盖的下方，且所述一对内盖分别和所述蚀刻槽的顶部两侧活动连接，所述一对内盖的相对端分别开设有一对相对的槽口。

优选地，在上述的蚀刻装置中，还包括一对内盖翻转机构，所述一对内盖分别通过对应的内盖翻转机构和所述蚀刻槽的顶部两侧活动连接，所述内盖翻转机构包括第一气缸、第一连接杆、第一转轴和一对第一轴承，所述第一转轴通过所述一对第一轴承设置于所述蚀刻槽的顶部两侧，所述第一气缸的输出轴和所述第一连接杆的一端连接，所述第一连接杆的另一端和所述第一转轴固定连接，所述第一转轴还分别和对应的内盖固定连接。

优选地，在上述的蚀刻装置中，还包括一第一固定架，所述第一气缸安装在所述第一固定架上。

优选地，在上述的蚀刻装置中，还包括一对槽盖翻转机构，所述一对槽盖分别通过对应的槽盖翻转机构和所述蚀刻槽的顶部两侧活动连接，所述槽盖翻转机构包括第二气缸、第二连接杆、第二转轴和一对第二轴承，所述第二转轴通过所述一对第二轴承设置于所述蚀刻槽的顶部两侧，所述第二气缸的输出轴和所述第二连接杆的一端连接，所述第二连接杆的另一端和所述第二转轴固定连接，所述第二转轴还分别和对应的槽盖固定连接。

优选地，在上述的蚀刻装置中，还包括一第二固定架，所述第二气缸安装在所述第二固定架上。

优选地，在上述的蚀刻装置中，所述一对内盖的相对端的两侧开设有所述相对的槽口。

本实用新型的有益效果如下：

本实用新型提供的蚀刻装置，通过增设一对内盖，所述一对内盖设置于所述蚀刻槽的上方并位于所述一对槽盖的下方，且所述一对内盖分别和所述蚀刻槽的顶部两侧活动连接，所述一对内盖的相对端分别开设有一对相对的槽口，当两只机械手臂夹持着带有晶圆的晶舟伸入蚀刻槽后，可以在不撤离机械手臂的前提下关闭内盖，所述相对的槽口在内盖关闭时组成两个供所述机械手臂穿越的通孔，关闭状态的内盖可以在晶圆蚀刻反应过程中防止蚀刻槽内的蚀刻液因蒸发而流失，确保蚀刻速率的稳定性，从而，有效提高产品良率。

附图说明

本实用新型的蚀刻装置由以下的实施例及附图给出。

图1是现有的蚀刻装置的关闭状态时的结构示意图；

图2是现有的蚀刻装置的打开状态时的结构示意图；