[实用新型]一种TFT阵列基板及液晶显示器有效
申请号: | 201120371170.2 | 申请日: | 2011-09-29 |
公开(公告)号: | CN202231012U | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | 谢振宇 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L29/786;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 tft 阵列 液晶显示器 | ||
1.一种TFT阵列基板,包括:
基板;形成于所述基板上的栅线、栅极、栅绝缘层、半导体有源层、数据线、源极、漏极,及形成于所述数据线、源极、漏极上的保护层,和形成于所述保护层上的像素电极,其中,所述栅极、源极、漏极和半导体有源层构成TFT,所述漏极包括漏极TFT区域和漏极与像素电极连接的漏极连接区域,其特征在于,
所述保护层设有完全露出所述漏极连接区域的镂空槽,所述像素电极通过所述镂空槽与所述漏极连接区域连接。
2.根据权利要求1所述的TFT阵列基板,其特征在于,所述镂空槽在所述像素电极区域内平行于所述栅线或所述数据线,并延长至所述像素电极区域的边缘。
3.根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,还包括:公共电极,所述公共电极位于所述像素电极上方或所述像素电极下方。
4.一种液晶显示器,其特征在于,包括上述权利要求1至3任一所述的TFT阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的