[实用新型]一种TFT阵列基板及液晶显示器

说明书

技术领域

本实用新型涉及液晶显示器技术领域，尤其涉及一种TFT(Thin Film Transistor，薄膜场效应晶体管)阵列基板及液晶显示器。

背景技术

TFT液晶显示面板，通过在像素电极和公共电极之间加载电压，控制液晶的旋转角度，实现画面显示。像素电极和公共电极之间的加载电压通过控制TFT液晶显示面板中的TFT的开关来实现。为了形成TFT电路，TFT阵列基板的源极和数据线必须电连接，漏极和像素电极必须电连接。在现有技术中，漏极上形成有保护层，然后在保护层上再形成像素电极。通常漏极上方的保护层刻蚀有过孔，像素电极通过过孔与漏极电连接。

在实现上述过孔的技术方案过程中，漏极在保证TFT电路的特性的情况下，还需要预留过孔的对应尺寸，通常过孔的大小在10微米左右，那么漏极的尺寸需要设计成大于10微米的金属方块，这样会使得TFT阵列基板的开口率变小。

实用新型内容

本实用新型的实施例提供一种TFT阵列基板及液晶显示器，可以减小漏极连接像素电极部分的尺寸，进而增大像素单元的开口率。

为达到上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案：

一种TFT阵列基板，包括：

基板；形成于所述基板上的栅线、栅极、栅绝缘层、半导体有源层、数据线、源极、漏极，及形成于所述数据线、源极、漏极上的保护层，和形成于所述保护层上的像素电极，其中，所述栅极、源极、漏极和半导体有源层构成TFT，所述漏极包括漏极TFT区域和漏极与像素电极连接的漏极连接区域，所述保护层设有完全露出所述漏极连接区域的镂空槽，所述像素电极通过所述镂空槽与所述漏极连接区域连接。

一种液晶显示器，其特征在于，包括上述的TFT阵列基板。

本实用新型提供的TFT阵列基板和液晶显示器，在漏极与像素电极之间的保护层上形成完全露出漏极连接区域的镂空槽，以便像素电极通过镂空槽与漏极连接。这样漏极的连接区域不需要再预留现有技术的过孔的尺寸，从而可以减小漏极连接区域的尺寸，进而提高像素单元的开口率。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例提供的TFT阵列基板的结构示意图；

图2为图1沿A-A向的剖视结构示意图；

图3为本实用新型实施例提供的又一TFT阵列基板的结构示意图；

图4为图3沿A-A向的剖视结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

下面通过附图1、2所示，对本实用新型实施例提供的TFT阵列基板进行说明。

本实用新型实施例以FFS(边缘场开关技术)型TFT阵列基板为例，包括基板10，形成于所述基板上的栅线20、栅极13，形成于像素电极12下方或上方的公共电极17，图1、2中的FFS型TFT阵列基板的公共电极17形成于像素电极12下方，与上述栅线20、栅极13位于同一层；形成于栅极13和公共电极17上的栅绝缘层18；形成于栅绝缘层18上的半导体有源层19；形成于半导体有源层19上的数据线14、源极15和漏极16；形成于数据线14、源极15和漏极16上的保护层11；及形成于保护层11上的像素电极12。

其中，栅极13、源极15、漏极16和半导体有源层19构成TFT。漏极16包括漏极TFT区域161和漏极16与像素电极12连接的漏极连接区域162，漏极TFT区域161在图中为左边虚线框中包含的漏极16的区域，漏极连接区域162在图中为右边虚线框中包含的漏极16的区域。

在本实施例中，位于漏极16上方的保护层11设有完全露出漏极连接区域162的镂空槽111。像素电极12通过该镂空槽111与漏极连接区域162相连接。