[实用新型]外延片用衬底、外延片及半导体器件有效
| 申请号： | 201120372334.3 | 申请日： | 2011-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN202282351U | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | 顾昱;钟旻远;林志鑫;陈斌 | 申请（专利权）人： | 上海晶盟硅材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;C30B25/18 |
| 代理公司： | 上海脱颖律师事务所 31259 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 201707 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外延 衬底 半导体器件 | ||
【权利要求书】：
1.外延片用衬底，包括衬底本体，其特征在于，所述衬底本体背面设置有二氧化硅层，在二氧化硅层表面设置有多晶硅层。
2.根据权利要求1所述的外延片用衬底，其特征在于，所述的二氧化硅层厚度为3-7um。
3.根据权利要求1或2所述的外延片用衬底，其特征在于，所述的多晶硅层厚度为6-10um。
4.根据权利要求1所述的外延片用衬底，其特征在于，所述的衬底本体为N型。
5.根据权利要求1所述的外延片用衬底，其特征在于，所述的衬底本体为P型。
6.外延片，其特征在于，包括权利要求1至5任一权利要求所述的外延片用衬底。
7.半导体器件，其特征在于，包括权利要求6所述的外延片。
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