[实用新型]硅片存储装置释压缓冲器有效
| 申请号： | 201120388724.X | 申请日： | 2011-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN202282336U | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | 汤明浩 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅片 存储 装置 缓冲器 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅片存储装置释压缓冲器，所述硅片存储装置(1)设有释压口(3)，其特征在于：所述释压缓冲器位于硅片存储装置(1)中，包括一与释压口(3)连通的中空弯管(7)，所述弯管(7)的下端连接至少一个气体释放件(8)，所述每个气体释放件(8)设有多个释放孔(9)。
2.根据权利要求1所述的硅片存储装置释压缓冲器，其特征在于：所述气体释放件(8)为两端封闭的圆柱管，圆柱管的侧面上设有一个气体入口和多个释放孔(9)，所述气体入口与弯管(7)的下端连接，释放孔(9)的圆心均匀分布于圆柱管侧面的一条母线上，该母线与气体入口中心所在的母线对称。
3.根据权利要求1所述的硅片存储装置释压缓冲器，其特征在于：所述气体释放件(8)为侧面封闭的圆柱管，圆柱管的顶面设有一个气体入口，所述气体入口与弯管(7)的下端连接，圆柱管的底面均匀设有多个释放孔(9)。
4.根据权利要求1所述的硅片存储装置释压缓冲器，其特征在于：所述气体释放件为(8)侧面封闭的方形腔，方形腔的顶面设有一个气体入口，所述气体入口与弯管(7)的下端连接，方形腔的底面均匀设有多个释放孔(9)。
5.根据权利要求1所述的硅片存储装置释压缓冲器，其特征在于：所述弯管(7)的截面为圆形或方形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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