[实用新型]硅片存储装置释压缓冲器

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体制造领域，具体属于一种硅片存储装置释压缓冲器。

背景技术

在硅片的生产过程中，需要用到DPS(双耦合等离子系统)设备机台，这种机台通常有两个硅片存储装置1用来放置硅片2，如图1所示，每个硅片存储装置1中各有一个不锈钢材质的金属片盒4。每个片盒4有多个槽，硅片通过大气搬送系统被搬送到片盒的槽中。由于这种机台在高真空的情况下作业，这就要求硅片在大气状态下通过干泵5抽到真空状态，而硅片存储装置1其实就是一个转换压力用的压力转变存储器。硅片作业前，先由大气搬送系统将硅片从端口上搬到硅片存储装置1的片盒4内，然后硅片存储装置1关上门，通过干泵5将硅片存储装置1从大气压(760Torr)抽到一定真空(400mTorr)，再由真空搬送系统通过缓冲腔将硅片搬送到工艺腔体作业。制品完成后，通过硅片存储装置1上方的释压口3将N₂通到硅片存储装置1内，硅片存储装置1内部的压力相应地从400mTorr增加到大气压(760Torr)，最后硅片存储装置1打开门，由大气搬送系统将片盒内的硅片搬送到端口上。

由于干法刻蚀的特点，硅片在刻蚀腔体中会产生一些反应生成物，而这些反应生成物经过一段时间会随着刻蚀后的硅片带到DPS设备的硅片存储装置中去，并在硅片存储装置底部沉积。这种反应生成物中的许多是絮状颗粒6(通常称为peeling)，其重量非常的轻，在气体压力突然变化时很容易在硅片存储装置1中飘动，如果飘落在制品表面的话，就会产生良品率不好的制品，影响制品的良品率。通常，硅片存储装置的压力在制品作业时是比较稳定的，在200～400mTorr左右，但是当制品作业完成后从真空状态释压到大气状态时，压力波动比较大，如图1所示，这是由于释压用的N2量过于集中，主要从硅片存储装置1的左上方从释压口3以恒定的流量直接释放下来，容易对硅片存储装置1底部的絮状颗粒6造成较大的冲击，导致絮状颗粒6扬起到片盒内的制品表面，结果对靠近硅片存储装置底部的硅片造成一定的影响。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种硅片存储装置释压缓冲器，可以减少释压时突然增加的压力对硅片存储装置底部的制品产生的影响。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种硅片存储装置释压缓冲器，所述硅片存储装置设有释压口，所述释压缓冲器位于硅片存储装置中，包括一与释压口连通的中空弯管，所述弯管的下端连接至少一个气体释放件，所述每个气体释放件设有多个释放孔。

优选的，所述气体释放件为两端封闭的圆柱管，圆柱管的侧面上设有一个气体入口和多个释放孔，所述气体入口与弯管的下端连接，释放孔的圆心均匀分布于圆柱管侧面的一条母线上，该母线与气体入口中心所在的母线对称。

另外优选的，所述气体释放件为侧面封闭的圆柱管，圆柱管的顶面设有一个气体入口，所述气体入口与弯管的下端连接，圆柱管的底面均匀设有多个释放孔。

另外优选的，所述气体释放件为侧面封闭的方形腔，方形腔的顶面设有一个气体入口，所述气体入口与弯管的下端连接，方形腔的底面均匀设有多个释放孔。

进一步地，所述弯管的截面为圆形或方形。

本实用新型中，硅片存储装置在释压口处增加一个弯管结构，弯管结构连接一具有多个释放孔的气体释放件，在硅片存储装置释压时，气体通过释放孔均匀缓和地流入硅片存储装置中，避免了硅片存储装置压力增加对絮状颗粒的冲击，减少了絮状颗粒对制品的影响，提高制品的合格率。

附图说明

下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明：

图1是目前硅片存储装置的结构示意图；

图2是使用本实用新型释压缓冲器的硅片存储装置的结构示意图；

图3是图2中气体释放件的A-A视图；

图4是本实用新型释压缓冲器的侧视图。

其中附图标记说明如下：

1为硅片存储装置；2为硅片；3为释压口；4为金属片盒；5为干泵；6为絮状颗粒；7为弯管；8为气体释放件；9为释放孔。

具体实施方式

本实用新型的硅片存储装置释压缓冲器，如图2所示，所述硅片存储装置1设有释压口3，所述释压缓冲器位于硅片存储装置1中，包括一与释压口3连通的中空弯管7，所述弯管7的下端连接一个气体释放件8，所述气体释放件8设有多个释放孔9。