[实用新型]一种粘贴治具有效
申请号: | 201120399802.6 | 申请日: | 2011-10-19 |
公开(公告)号: | CN202275811U | 公开(公告)日: | 2012-06-13 |
发明(设计)人: | 成涛;肖乾;闫稳玉;刘家平;王丕龙 | 申请(专利权)人: | 科达半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 逯长明 |
地址: | 257091 *** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 粘贴 | ||
技术领域
本实用新型涉及半导体器件制作工艺技术领域,更具体地说,涉及一种粘贴治具。
背景技术
半导体器件制造过程包括前段工艺和后段工艺,前段工艺主要在晶片上形成电阻、电容等元器件,后段工艺主要把前段工艺中所形成的元器件通过金属连线连接起来。前段工艺中在晶片上形成元器件时,需要在晶片上进行氧化生长、光刻、刻蚀、离子注入等工艺步骤。
在晶片上进行离子注入工艺时,常需要将晶片置于现有的离子注入机中,在所述离子注入机内,由离子源产生的离子以很高的速度飞向晶片表面,从而完成离子注入工艺。普通的离子注入机对放置于其内的晶片的厚度是有一定要求的,例如,多数的离子注入机一般只适合于厚度为625μm的晶片。
但是,在半导体器件制作过程中,晶片的厚度并非是一成不变的,而且,晶片的厚度越薄,越利于小尺寸器件的制作,且所得器件的散热性能越好。为了在现有的离子注入机内实现对超薄晶片的离子注入工艺,这就需要将所述超薄晶片与一挡片粘贴在一起,使得粘贴后的超薄晶片与挡片的厚度之和满足现有的离子注入机的要求。
现有技术中在将超薄晶片与挡片粘贴在一起时,常用手来直接接触超薄晶片,这不仅容易使超薄晶片表面受到污染,而且易于使超薄晶片与挡片之间出现错位。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型提供一种粘贴治具,使用该粘贴治具在粘贴超薄晶片和挡片时,不仅可避免超薄晶片表面受到污染,而且使超薄晶片与挡片之间不易出现错位。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:
一种粘贴治具,该粘贴治具包括:
楔形台;
位于所述楔形台上的环形板;
设置在所述环形板内壁的环形台,且所述环形台的上表面低于所述环形板的上表面;
设置在所述环形板上的多个开口和设置在所述环形台上的多个开口,所述环形板上的多个开口与所述环形台上的多个开口一一对应,且环形板和环形台上任何相对应的两个开口相连通形成一个开口。
优选的,上述粘贴治具中,所述环形板的内壁上还设置有一平面,所述平面与所述环形台表面相交于一平边,所述平边位于所述楔形台的下降端,且所述平边与所述楔形台下降端的下降边平行。
优选的,上述粘贴治具中,所述环形板和环形台上开口的个数均为3。
优选的,上述粘贴治具中,所述环形板上的多个开口将所述环形板的上部均分成多个弧形的环形板,且所述环形台上的多个开口将所述环形台的上部均分成多个弧形的环形台。
从上述技术方案可以看出,采用本实用新型所提供的粘贴治具在粘贴超薄晶片和挡片时,采用镊子将超薄晶片和挡片依次放入粘贴治具的环形台面上,在放入过程中所述镊子可以位于环形板和环形台上任何相对应的两个开口处,放入后所述镊子也能够方便地抽回,之后采用胶带在所述环形板和环形台上的多个开口处对所述超薄晶片和挡片进行粘贴,粘贴完成后仍可采用镊子将粘贴好后的超薄晶片和挡片从所述粘贴治具上取出来。采用该粘贴治具在将超薄晶片和挡片进行粘贴的过程中,一方面无需用手直接接触所述超薄晶片,从而避免了所述超薄晶片表面受到污染;另一方面,由于所述环形板和环形台均位于楔形台上,而楔形台表面是具有一定倾斜度的,这就使得所述环形台表面具有一定的倾斜度,因此,在将所述超薄晶片和挡片放入所述环形台面上时,所述超薄晶片和挡片可在自身重量的作用下完全重合,从而使得所述超薄晶片与挡片之间不易出现错位。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型实施例所提供的一种粘贴治具的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造