[实用新型]一种用于感应离子耦合刻蚀机承载被刻蚀外延片的样品台有效
| 申请号： | 201120414928.6 | 申请日： | 2011-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN202363440U | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 曹跃飞;李文兵 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687;H01J37/32 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 36100 | 代理人： | 胡里程 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 感应 离子 耦合 刻蚀 承载 外延 样品 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于感应离子耦合刻蚀机承载被刻蚀外延片的样品台，其特征在于：该样品台包括石英盘，石英盘的周边有一个加强环，石英盘的中心为样品承载区。
2. 根据权利要求1所述用于感应离子耦合刻蚀机承载被刻蚀外延片的样品台，其特征在于：样品承载区设有一个取片圆与之对应。
3.根据权利要求1所述用于感应离子耦合刻蚀机承载被刻蚀外延片的样品台，其特征在于：加强环宽度为5-8mm ，厚度为3-6mm。
4.根据权利要求1所述用于感应离子耦合刻蚀机承载被刻蚀外延片的样品台，其特征在于：样品承载区厚度范围为0.5-4毫米。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电股份有限公司，未经华灿光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201120414928.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
