[实用新型]一种用于感应离子耦合刻蚀机承载被刻蚀外延片的样品台有效
申请号: | 201120414928.6 | 申请日: | 2011-10-27 |
公开(公告)号: | CN202363440U | 公开(公告)日: | 2012-08-01 |
发明(设计)人: | 曹跃飞;李文兵 | 申请(专利权)人: | 华灿光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01J37/32 |
代理公司: | 江西省专利事务所 36100 | 代理人: | 胡里程 |
地址: | 430223 湖北省*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 感应 离子 耦合 刻蚀 承载 外延 样品 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种样品台,尤其是一种用于感应离子耦合刻蚀机承载被刻蚀外延片的样品台。
背景技术
在ICP用于图形制作工艺时,因GaN与蓝宝石两种材料都难刻蚀,必须用高密度的等离子冲击材料表面,材料的温度不易散发,传统的机器都采用SIC材料制作载片样品盘,因SIC材料导热性好,化学性能温度。但SIC材料不易获得,价格昂贵。本专利利用价格低廉易获取的石英材料,通过对载片盘的精心设计,克服了石英材料固有的脆性缺点,使其达到散热性能好,机械强度高的特殊要求。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种用于感应离子耦合刻蚀机承载被刻蚀外延片的样品台。
本实用新型的技术方案为:一种用于感应离子耦合刻蚀机承载被刻蚀外延片的样品台,该样品台包括石英盘,石英盘的周边有一个加强环,加强环宽度为5-8mm,厚度为3-6mm。石英盘的中心为样品承载区,样品承载区厚度范围为0.5-4毫米。样品承载区设有一个取片圆与之对应。
本实用新型的优点在于:样品台制作材料使用石英材料替代传统的碳化硅或石墨材料,在优化样品台性能的同时,有效的降低了样品台的材料成本。 ,此环有效的增强了石英样品台的机械强度,方便样品台的安装和卸载,延长样品台的使用寿命。同时此环的横断面设计成各种形状,改善真空腔体内的气流场,提升刻蚀工艺的均匀性。
附图说明
图1为本实用新型用于感应离子耦合刻蚀机承载被刻蚀外延片的样品台结构示意图;
图2为本实用新型边沿剖视图;
图3为本样品台的放片位与取片位剖视图。
1—加强环 2—样品承载区 3—取片圆。
具体实施方式
一种用于感应离子耦合刻蚀机承载被刻蚀外延片的样品台,本样品台最多可以承载27片直径为2英寸的外延片,外延片样品承载区分为三圈,由内而外,每圈可以承载的外延片数目依次为:3片,9片,15片,三个圈的直径由内而外,依次为:60.35厘米,320厘米,330厘米。每个外延片样品承载区有一个取片圆与之对应,此圆的作用为方便镊子或其他取片工具切入外延片与样品承载区之间的缝隙进行取片,其直径为14mm。
图2为本样品台周边部分的侧面剖视图的放大图。样品台周边高出部分为样品台的加强环,低洼部分为样品承载圆,此环有效的增强了石英样品台的机械强度,方便样品台的安装和卸载,延长样品台的使用寿命。 同时此环的横断面设计成各种形状,改善真空腔体内的气流场,提升刻蚀工艺的均匀性。加强环的横断面设计为梯形,高度为3.5mm,顶部宽度3mm,底部宽度5mm。
图3为本样品台的片位剖视图。其中样品放置区5厚度为 2mm,样品取片区4厚度为1.85mm,其他区域即未有样品承载区或取片圆3的区域,其厚度为2.5mm。如此设计,其厚度最为合适外延片的放置和方便取片的过程。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造