[实用新型]一种TFT-LCD阵列基板及液晶显示器

权利要求书

1.一种TFT-LCD阵列基板，包括栅线和数据线，在栅线和数据线限定的像素区域内形成有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅极、栅绝缘层、有源层、源漏金属层；其中，所述有源层在所述源漏金属层的断开位置为沟道区，其特征在于，所述源漏金属层和所述有源层之间形成有导电层，所述导电层直接接触所述有源层，且覆盖部分沟道区。

2.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述源漏金属层包括：源极和漏极；

所述源漏金属层和所述有源层之间形成有导电层包括：

所述源极和所述有源层之间形成有所述导电层，或者，

所述漏极和所述有源层之间形成有所述导电层，或者，

所述源极和所述有源层之间形成有第一导电层，所述漏极和所述有源层之间形成有第二导电层，其中所述第一导电层和所述第二导电层不相连。

3.根据权利要求2所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述导电层覆盖部分沟道区为：

所述导电层的宽度为沟道区的宽度的一半。

4.根据权利要求1～3任一项权利要求所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：欧姆接触层；

所述欧姆接触层位于所述源漏金属层和所述导电层之间。

5.一种液晶显示器，包括对盒后的彩膜基板和阵列基板；其中，所述阵列基板包括栅线和数据线，在栅线和数据线限定的像素区域内形成有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅极、栅绝缘层、有源层、源漏金属层；其中，所述有源层在所述源漏金属层的断开位置为沟道区，其特征在于，所述源漏金属层和所述有源层之间形成有导电层，所述导电层直接接触所述有源层，且覆盖部分沟道区。

6.根据权利要求5所述的液晶显示器，其特征在于，所述源漏金属层包括：源极和漏极；

所述源漏金属层和所述有源层之间形成有导电层包括：

所述源极和所述有源层之间形成有所述导电层，或者，

所述漏极和所述有源层之间形成有所述导电层，或者，

所述源极和所述有源层之间形成有第一导电层，所述漏极和所述有源层之间形成有第二导电层，其中所述第一导电层和所述第二导电层不相连。

7.根据权利要求6所述的液晶显示器，其特征在于，所述导电层覆盖部分沟道区为：

所述导电层的宽度为沟道区的宽度的一半。

8.根据权利要求5～7任一项权利要求所述的液晶显示器，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：欧姆接触层；

所述欧姆接触层位于所述源漏金属层和所述导电层之间。