[实用新型]一种TFT-LCD阵列基板及液晶显示器

说明书

技术领域

本实用新型涉及液晶显示领域，尤其是一种TFT-LCD阵列基板及液晶显示器。

背景技术

TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。TFT-LCD阵列基板是液晶显示器的重要部件之一，其剖面结构如图1所示，主要包括基板1，栅极2，栅绝缘层3，有源层4，源漏金属层7，钝化层8，ITO(Indium Tin Oxides，氧化铟锡)层9；其中，所述源漏金属层7包括源极71，漏极72。

TFT的关态电流为Ioff=q(nμe+pμp)WdsLVds,]]>其中q为电子的电荷量，n为电子密度，p为空穴密度，μ_e为电子迁移率，μ_p为空穴迁移率，W为沟道区的宽度，L为沟道区的长度，ds为沟道区处有源层的厚度，V_ds为源极和漏极之间的电势。显然，沟道区的宽度W越小，则TFT的关态电流就越小，从而TFT特性越佳。然而，在TFT-LCD阵列基板的制造过程中，由于现有制造工艺的限制，TFT沟道区宽度一般在4微米以上；由上述公式可知，沟道区宽度较大，会导致TFT的关态电流较大，从而影响TFT特性。

实用新型内容

本实用新型提供一种TFT-LCD阵列基板及液晶显示器，用以实现通过减小TFT-LCD阵列基板及液晶显示器的沟道区宽度以减小TFT的关态电流，从而提高TFT特性的目的。

为达到上述目的，本实用新型采用如下技术方案：

一种TFT-LCD阵列基板，包括栅线和数据线，在栅线和数据线限定的像素区域内形成有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅极、栅绝缘层、有源层、源漏金属层；其中，所述有源层在源漏金属层的断开位置为沟道区，所述源漏金属层和所述有源层之间形成有导电层，所述导电层直接接触所述有源层，且覆盖部分沟道区。

一种液晶显示器，包括对盒后的彩膜基板和阵列基板；其中，所述阵列基板包括栅线和数据线，在栅线和数据线限定的像素区域内形成有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅极、栅绝缘层、有源层、源漏金属层；其中，所述有源层在源漏金属层的断开位置为沟道区，所述源漏金属层和所述有源层之间形成有导电层，所述导电层直接接触所述有源层，且覆盖部分沟道区。

本实用新型提供的TFT-LCD阵列基板及液晶显示器，通过在源漏金属层和有源层之间形成导电层，且所述导电层直接接触所述有源层，且覆盖部分沟道区；这样就可以减小沟道区宽度，从而减小TFT的关态电流，进而提高TFT特性。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中的一种TFT-LCD阵列基板的剖面结构示意图；

图2为实施例一提供的一种TFT-LCD阵列基板的剖面结构示意图；

图3为实施例二提供的一种TFT-LCD阵列基板的剖面结构示意图。

附图标记：

1-基板，2-栅极，3-栅绝缘层，4-有源层，5-导电层，6-欧姆接触层，7-源漏金属层，8-钝化层，9-ITO层；71-源极，72-漏极。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。