[实用新型]s-bus单总线通讯电路有效

专利信息
申请号: 201120448903.8 申请日: 2011-11-14
公开(公告)号: CN202406128U 公开(公告)日: 2012-08-29
发明(设计)人: 李童;宋涛;王珺;杨亚萍;柏爱川;左兴龙;祝环芬;王俊;白岩;王俊超;贾桑 申请(专利权)人: 中国石油天然气集团公司
主分类号: H04L12/40 分类号: H04L12/40
代理公司: 北京市德权律师事务所 11302 代理人: 刘丽君
地址: 100007 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: bus 总线 通讯 电路
【权利要求书】:

1.s-bus单总线通讯电路,其特征在于,包括NMOS管(M1、M2)、PMOS管(M3)以及反向三态缓冲器(U1);MCU置位信号(MCU RST)分别与NMOS管(M1)的栅极以及NMOS管(M2)的栅极的连接;s-bus单总线分别与NMOS管(M1)的漏极、PMOS管(M3)的栅极、PMOS管(M3)的源极以及NMOS管(M2)的漏极连接;NMOS管(M2)的源极接地,PMOS管(M3)的漏极与NMOS管(M2)的源极连接;MCU发送信号(MCT SCT-Tx)与反向三态缓冲器(U1)的第一输入端连接,NMOS管(M2)的源极与反向三态缓冲器(U1)的第二输入端连接,MCU发送控制信号与反向三态缓冲器(U1)的第一控制端连接,反向三态缓冲器(U1)的第二控制端接地,反向三态缓冲器(U1)的第一输出端与NMOS管(M2)的源极连接,MCU接收信号(MCU SCI-Rx)与反向三态缓冲器(U1)的第二输出端连接。

2.如权利要求1所述的s-bus单总线通讯电路,其特征在于,MCU置位信号(MCU RST)通过电阻(R3)与NMOS管(M1)的栅极连接,NMOS管(M1)的栅极还经电容(C1)接地;MCU置位信号(MCU RST)通过电阻(R4)与NMOS管(M2)的栅极连接,NMOS管(M2)的栅极还经电容(C2)接地;反向三态缓冲器(U1)的第二输入端经电容(C3)接地,与NMOS管(M2)的源极连接,NMOS管(M2)的源极还经电阻(R5)接地。

3.如权利要求1或2所述的s-bus单总线通讯电路,其特征在于,s-bus单总线经过电阻(R1)分别与NMOS管(M1)的栅极以及NMOS管(M2)的栅极的连接;反向三态缓冲器(U1)的第一输入端经电阻(R2)接电源电压。

4.如权利要求3所述的s-bus单总线通讯电路,其特征在于,反向三态缓冲器(U1)为54HC368或者74HC368。

5.如权利要求4所述的s-bus单总线通讯电路,其特征在于,MCU发送信号(MCT SCT-Tx)与反向三态缓冲器(U1)的第一输入端(D1一D4)连接,反向三态缓冲器(U1)的第二输入端(D5-D6)经电容(C3)接地。

6.如权利要求5所述的s-bus单总线通讯电路,其特征在于,反向三态缓冲器(U1)的第一输出端(Q1)经电阻(R6)与NMOS管(M2)的源极连接,反向三态缓冲器(U1)的第一输出端(Q2)经电阻(R7)与NMOS管(M2)的源极连接,反向三态缓冲器(U1)的第一输出端(Q3)经电阻(R8)与NMOS管(M2)的源极连接,反向三态缓冲器(U1)的第一输出端(Q4)经电阻(R9)与NMOS管(M2)的源极连接,MCU接收信号(MCU SCI-Rx)与反向三态缓冲器(U1)的第二输出端(Q5-Q6)连接。

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