[实用新型]s-bus单总线通讯电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及电子电路领域，尤其涉及s-bus单总线通讯电路。

背景技术

大多数总线均以相同方式构成，其不同之处仅在于总线中数据线和地址线的数目以及控制线的多少及其功能。根据连接方式不同，控制系统中采用的总线结构有三种基本类型：单总线结构，双总线结构和多总线结构。

单总线适用于单主机系统，能够控制一个或多个从机设备。主机可以是微控制器(MCU)，从机可以是单总线器件也可以是从微控制器，它们之间的数据交换只通过一条信号线。当只有一个从机设备时，系统可按单节点系统操作；当有多个从设备时，系统则按多节点系统操作。

目前，商业应用比较广泛的单总线技术是1-wire bus总线，硬件设计集成在一块通讯电路板中。与目前多数标准串行数据通信方式如SPI/I2C/SCI/RS485不同，它采用单根信号线，准双向传输数据。1-wire bus总线具有节省I/O口线资源、结构简单、成本低廉、便于总线扩展和维护等诸多优点。

1-wire bus总线大多应用在普通工业控制系统中，具有一定的局限性。首先在一些分布式主从控制系统中，需要在主微处理器和从微处理器间同时具有1-wire bus功能才能实现单总线通讯。如果微处理器中没有内置1-wirebus功能，而采用模拟1-wire bus通讯则时序比较复杂不易实现。其次，在某些特殊的高、低温应用环境下，集成有1-wire bus功能的军用或航天级的硬件还比较少。

实用新型内容

针对现有技术中存在的上述问题，本实用新型提供了s-bus单总线通讯电路。

本实用新型提供了s-bus单总线通讯电路，包括NMOS管M1、M2、PMOS管M3以及反向三态缓冲器U1；MCU置位信号MCU RST分别与NMOS管M1的栅极以及NMOS管M2的栅极的连接；s-bus单总线分别与NMOS管M1的漏极、PMOS管M3的栅极、PMOS管M3的源极以及NMOS管M2的漏极连接；NMOS管M2的源极接地，PMOS管M3的漏极与NMOS管M2的源极连接；MCU发送信号MCT SCT-Tx与反向三态缓冲器U1的第一输入端连接，NMOS管M2的源极与反向三态缓冲器U1的第二输入端连接，MCU发送控制信号与反向三态缓冲器U1的第一控制端连接，反向三态缓冲器U1的第二控制端接地，反向三态缓冲器U1的第一输出端与NMOS管M2的源极连接，MCU接收信号MCU SCI-Rx与反向三态缓冲器U1的第二输出端连接。

在一个示例中，MCU置位信号MCU RST通过电阻R3与NMOS管M1的栅极连接，NMOS管M1的栅极还经电容C1接地；MCU置位信号MCU RST通过电阻R4与NMOS管M2的栅极连接，NMOS管M2的栅极还经电容C2接地；反向三态缓冲器U1的第二输入端经电容C3接地，与NMOS管M2的源极连接，NMOS管M2的源极还经电阻R5接地。

在一个示例中，s-bus单总线经过电阻R1分别与NMOS管M1的栅极以及NMOS管M2的栅极的连接；反向三态缓冲器U1的第一输入端经电阻R2接电源电压。

在一个示例中，反向三态缓冲器U1为54HC368或者74HC368。

在一个示例中，MCU发送信号MCT SCT-Tx与反向三态缓冲器U1的第一输入端D1-D4连接，反向三态缓冲器U1的第二输入端D5-D6经电容C3接地。

在一个示例中，反向三态缓冲器U1的第一输出端Q1经电阻R6与NMOS管M2的源极连接，反向三态缓冲器U1的第一输出端Q2经电阻R7与NMOS管M2的源极连接，反向三态缓冲器U1的第一输出端Q3经电阻R8与NMOS管M2的源极连接，反向三态缓冲器U1的第一输出端Q4经电阻R9与NMOS管M2的源极连接，MCU接收信号MCU SCI-Rx与反向三态缓冲器U1的第二输出端Q5-Q6连接。

本实用新型可将单片机的SCI总线转换为无源单总线，实现异步串行准双工方式通讯，利用高速开关场效应管，实现总线隔离保护功能；元器件均选用贴片器件，缩小电路板尺寸，同时采用高温印制电路板，以便于节省空间和适应高温工作环境。

附图说明

下面结合附图来对本实用新型作进一步详细说明，其中：

图1是s-bus单总线通讯电路图。

具体实施方式