[实用新型]一种TFT-LED彩色阵列显示基板有效
| 申请号： | 201120460248.8 | 申请日： | 2011-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN202332854U | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 邓朝勇;杨利忠;杨小平;胡绍璐;雷远清 | 申请（专利权）人： | 贵州大学 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15 |
| 代理公司： | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人： | 李亮;程新敏 |
| 地址： | 550003 贵*** | 国省代码： | 贵州;52 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 tft led 彩色 阵列 显示 | ||
1.一种TFT-LED彩色阵列显示基板，其特征在于：在衬底（1）上方依次为缓冲层（2），n型GaN层（3），三基色发光层（4），p型GaN层（5）和透明电极层（6）；n型GaN层（3）、三基色发光层（4）、p型GaN层（5）和透明电极层（6）共同组成显示单元，在显示单元上设有控制区（7），在显示单元之间设有引线区（8）；在控制区（7）内设有由电容器下极板（10），电容器上极板（12）及同处于它们之间的绝缘层（25）所构成的电容器；由工作TFT栅极（13）、工作TFT的沟道（17）、工作TFT源极（22）、工作TFT漏极（23）及绝缘层（25）组成的工作TFT；以及由控制TFT栅极（15）、控制TFT沟道（18）、控制TFT源极（19）和控制TFT漏极（21）及绝缘层（25）组成的控制TFT；在引线区（8）内设有n型GaN层接地引线（11），工作TFT源极引线（24），控制TFT源极引线（20）及控制TFT栅极引线（16）；电容器下极板（10）与n型GaN层（3）接触，n型GaN层接地引线（11）与电容器下极板（10）连接；电容器上极板（12）分别与工作TFT栅极（13）及控制TFT漏极（21）连接，工作TFT漏极（23）与透明电极层（6）连接，工作TFT的源极（22）与工作TFT源极引线（24）连接，控制TFT源极（19）与控制TFT源极引线（20）连接，控制TFT栅极（15）与控制TFT栅极引线（16）连接；绝缘层（25）处于各层金属电极和不同层引线之间，在控制区（7）及引线区（8）的顶部设有钝化保护层（26）。
2.根据权利要求1所述的TFT-LED彩色阵列显示基板，其特征在于：三基色发光层（4）是由红、绿、蓝三种厚度相同的单色发光层组成发光阵列，发光阵列的每个单元独立发光。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于贵州大学，未经贵州大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201120460248.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
