[实用新型]半导体封装溢料清除装置有效
申请号: | 201120463321.7 | 申请日: | 2011-11-21 |
公开(公告)号: | CN202318690U | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 黄海彪 | 申请(专利权)人: | 无锡罗姆半导体科技有限公司;黄海彪 |
主分类号: | B29C37/02 | 分类号: | B29C37/02;H01L21/67;H01L21/56 |
代理公司: | 江苏英特东华律师事务所 32229 | 代理人: | 邵鋆 |
地址: | 214142 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 清除 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种半导体加工设备,具体是用于半导体封装溢料清除的装置。
背景技术
半导体封装以后,是多个半导体联排结构,在每一个半导体的框架和接线柱上会有一些溢料,一般接线柱上的溢料可以通过高压水冲洗或者化学物质溶解,但是在半导体框架前端部分的溢料只能通过手工剔除,工作效率特别低。
实用新型内容
本实用新型针对上述技术问题,提供一种专用设备,能快速的剔除掉半导体框架前端部分的溢料,具体技术方案为:
半导体封装溢料清除装置,包括底座,底座上固定有下刀座,下刀座外侧面安装有一块下刀,下刀座的上方对应有上刀座以及安装在上刀座外侧的一排上刀,上和下刀的刀口形状与封装好的半导体框架前半端外形一致,上刀座固定在基板上,基板上方有一顶板,顶板和底座之间有支柱和滚珠套固定连接,基板有对应的孔可以沿着支柱上下的滑动。
在切割的时候,把封装好的半导体联排放在下刀座上,半导体框架的前半端和下刀口对齐,往下压基板,带动上刀下移,由于上刀和下刀的刀口是与半导体框架前半端外形一样,所以刀具可以切除掉半导体框架前半端的的溢料。
该技术方案还可以进一步优化:
上刀座后方还有一压板,压板通过导杆和基板、顶板连接,基板和顶板上有对应的导杆孔,压板与基板之间有弹簧套在导杆上,压板下边缘比上刀的下边缘低1~3mm。
下刀座对应于压板的部位有一个凸台,下刀座后半部分为坡面。
凸台上有突起。
上刀是由多个刀片组成,每个刀片通过上刀座上的定位孔安装和调节。
基板上的孔内安装有滚珠套,滚珠套套在支柱上。
导杆有四个,分布在压板的两端。
顶板上安装有气缸,气缸下端固定在基板上,带动基本上下运动。
气缸控制开关有两个,分别位于顶板的两端,必须同时按下两个开关才能启动。
以上技术优化主要目的是:
压板比上刀座低,主要是在上刀座下移的时候,压板能先压住半导体联排的接线柱,固定住半导体联排,以防错位,让后下来的上刀切坏半导体框架。在切割动作完成以后,压板通过弹簧复位。
导杆用四个并且分布于压板两端,主要是为了能够进一步控制到压板和基板,位置在水平方向上不发生偏移。
下刀座上的凸台高度取决于半导体联排的框架和接线柱之间的厚度差,半导体联排的框架放置在刀口上,接线柱放置在凸台上,以防在切割的时候把半导体联排压变形。
在凸台上增加的突起,当半导体联排放在下刀座上,突起的位置刚好在半导体联排接线柱之间的空隙处,突起可以进一步固定住半导体联排的位置。
下刀座后半部做成坡面形状,主要是为了能方便从下刀座后面放置和取出半导体联排。
上刀是由一排刀片组成,刀片的数量取决于半导体联排上的半导体个数,并且每个刀片都可以单独拆卸和调整位置。下刀也可以设计成这样的结构。
基板上的孔内安装有滚珠套,主要是为了减少基板滑动过程中对支柱的磨损。
在顶板的两端分别设置一个开关,启动的时候,需要同时按下两个开关,主要是让操作人员在启动设备的时候,两只手都不在刀具附近,确保安全作业。
该半导体封装溢料切割机既可以由气缸驱动,也可以通过其他方式驱动,比如电机驱动、液压驱动。
以上所提供的半导体封装溢料切割机,是专门为半导体联排去除前半端的溢料设计的,操作简单快捷,并且可以根据半导体联排的具体尺寸和半导体的数量调整刀具。
附图说明
图1是本实用新型的半导体封装溢料切割机立体结构示意图;
图2是下刀座的俯视图;
图3是半导体联排结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图说明本实用新型的具体方案:
如图1所示,半导体封装溢料清除装置,包括底座1,底座1上固定有下刀座2,下刀座2外侧面安装有一排下刀3,下刀座2的上方对应有上刀座4以及安装在上刀座4外侧的一块上刀5,如图2和图3所示,上刀5和下刀3的刀口形状与封装好的半导体框架16前半端161外形一致,上刀座4固定在基板6上,基板6上方有一顶板7,顶板7和底座1之间有支柱8和滚珠套12固定连接,基板6有对应的孔可以沿着支柱8上下的滑动。
上刀座4后方还有一压板9,压板9通过导杆10和基板6、顶板7连接,基板6和顶板7上有对应的导杆孔,压板9与基板6之间有弹簧11套在导杆10上,压板9下边缘比上刀5的下边缘低1~3mm。
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