[实用新型]高单胞密度沟槽MOS器件有效
| 申请号： | 201120508231.5 | 申请日： | 2011-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN202373586U | 公开（公告）日： | 2012-08-08 |
| 发明（设计）人： | 刘伟;王凡 | 申请（专利权）人： | 苏州硅能半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 马明渡 |
| 地址： | 215011 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高单胞 密度 沟槽 mos 器件 | ||
1.一种高单胞密度沟槽MOS器件，该器件由位于中部的有源区（1）和位于周边包围有源区（1）的栅总线区（2）构成；
在截面上，所述器件包括位于硅片背面第一导电类型重掺杂的漏极区（3），位于漏极区（3）上方第一导电类型轻掺杂的外延层（4）；
所述有源区（1）由若干重复排列的沟槽MOS单胞并联构成；每个沟槽MOS单胞包括位于所述外延层（4）内上部的第二导电类型轻掺杂的阱层（5）；穿过所述阱层（5）并延伸至外延层（4）内的栅沟槽（6）；在所述阱层（5）上部内且位于所述栅沟槽（6）周边的第一导电类型重掺杂的源极区（7）；所述栅沟槽（6）内第一导电类型重掺杂的栅导电多晶硅（8）；所述栅导电多晶硅（8）与栅沟槽（6）内壁之间的栅氧化层（9）；
所述栅总线区（2）由若干栅总线构成；每个栅总线包括位于所述外延层（4）内的栅总线沟槽（10）；所述栅总线沟槽（10）内第一导电类型重掺杂的栅总线导电多晶硅（11）；所述栅总线导电多晶硅（11）与栅总线沟槽（10）内壁之间的隔离氧化层（12）；
其特征在于：所述栅总线沟槽（10）与所述栅沟槽（6）互相连通；所述栅总线沟槽（10）开口尺寸大于所述栅沟槽（6）开口尺寸；所述栅导电多晶硅（8）与所述栅总线导电多晶硅（11）互相连接；所述隔离氧化层（12）的厚度大于所述栅氧化层（9）的厚度。
2.根据权利要求1所述的沟槽MOS器件，其特征在于：所述外延层（4）上表面设有层间介质层（13）；穿透所述层间介质层（13）连接所述源极区（7）的源极接触孔（14）；穿透所述层间介质层（13）连接所述栅总线导电多晶硅（11）的栅极接触孔（15）。
3.根据权利要求1所述的沟槽MOS器件，其特征在于：所述隔离氧化层（12）的厚度是所述栅氧化层（9）厚度的1.1倍至40倍。
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