[实用新型]应用于高温通孔回流焊接制程的连接器结构有效

专利信息
申请号: 201120509066.5 申请日: 2011-12-08
公开(公告)号: CN202434775U 公开(公告)日: 2012-09-12
发明(设计)人: 胡东华 申请(专利权)人: 安费诺东亚科技(深圳)有限公司
主分类号: H01R13/502 分类号: H01R13/502;H01R13/02;H01R12/51
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摘要:
搜索关键词: 应用于 高温 回流 焊接 连接器 结构
【说明书】:

技术领域

一种应用于高温通孔回流焊接制程的连接器结构,包括有一绝缘座体、一底盖及复数端子。绝缘座体设有复数端子插槽;底盖是覆设于绝缘座体底部,且设有复数个穿孔;端子其设有接触区,并于接触区一端延伸设有焊接区,而接触区相对设于端子插槽内,而焊接区相对贯穿底盖的穿孔并伸出端子插槽外部,且端子的焊接区与底盖的穿孔呈紧密接触。藉此,透过底盖作阻挡,避免于高温通孔回流焊接制程中,焊膏与助焊剂容易于连接器底部渗入,而可提升连接器之产品性能及生产效率,並有效降低连接器之生产制程成本。

背景技术

电路板主要用以设置许多的电子组件,而电路板上所设复数电子组件是藉由焊接制程而将电子组件的接脚固着于电路板上的焊接孔,进而导通各个电子组件的间的电气讯号。

而传统波锋焊制程(wave soldering process)必须依靠人工操作方式进行焊接制程作业,导致波锋焊制程所需的人力成本及工时相对增加,因此有了另一种回流焊接制程(Reflow soldering),其主要利用回流焊接设备内部有一加热电路,透过加热电路将设备内部的空气或氮气加热到足够高的温度后,再将高温吹向已经插件好电子组件的电路板,使电子组件的焊接脚两侧的焊料融化后即可与电路板形成焊接,藉以取代传统波锋焊制程其需较高的人力成本及工时。

然而,于回流焊接制程中,若电路板所插件的电子组件为连接器时,因目前连接器底部皆无另外设置有一底盖结构,即习知连接器结构只有塑料座体及端子装配所构成,导致于回流焊接制程中,受到高温而融化成气态或液态的焊膏或助焊剂,容易从连接器的底部渗入到连接器的插槽内,最后使得渗入的焊膏或助焊剂会凝固于端子的接触端部位,造成端子使用功能受到影响,致使增加连接器的不良率。

发明内容

鉴于以上的问题,本发明主要目的是提供一种应用于高温通孔回流焊接制程的连接器结构,包括有一绝缘座体、一底盖及复数端子。绝缘座体设有复数端子插槽;底盖是覆设于绝缘座体底部,且设有复数个穿孔;端子其设有接触区,并于接触区一端延伸设有焊接区,而接触区相对设于端子插槽内,而焊接区相对贯穿底盖的穿孔并伸出端子插槽外部,且端子的焊接区与底盖的穿孔呈紧密接触。藉此,透过底盖作阻挡,避免于高温通孔回流焊接制程中,焊膏与助焊剂容易于连接器底部渗入,而可提升连接器之产品性能及生产效率,並有效降低连接器之生产制程成本。

本发明另一目的是提供一种应用于高温通孔回流焊接制程的连接器结构,其中,底盖的周缘可凸设有挡墙,而绝缘座体底部凹设有与底盖的挡墙相对应的结合部,当底盖覆设于绝缘座体底部时,绝缘座体的结合部可与底盖的挡墙呈密封结合,避免绝缘座体与底盖接合处产生缝隙,而于高温通孔回流焊接制程中,防止部分已气化的焊膏或助焊剂容易从缝隙中渗入连接器内部,而可提升连接器之产品性能及生产效率。

本发明又一目的是提供一种应用于高温通孔回流焊接制程的连接器结构,其中,端子于焊接区末端设有导引区,于导引区外部设有斜面,使导引区可呈金字塔形式或锥状形式;藉此,当端子的焊接区穿设底盖的穿孔时,可由较小截面积的导引区先行进入穿孔后,再由较大截面积的焊接区进入穿孔,避免穿孔直接受到较大截面积的焊接区强行穿设而被破坏,确保端子的焊接区与底盖的穿孔紧密接触呈密封结构。

附图说明

图1是为本发明的连接器结构组合示意图。

图2是为本发明的连接器结构分解示意图。

图3是为本发明的连接器结构的绝缘座体另一视角示意图。

具体实施方式

为使贵审查员方便简捷了解本发明的其他特征内容与优点及其所达成的功效能够更为显现,兹将本发明配合附图,详细叙述本发明的特征以及优点,以下的实施例是进一步详细说明本新型的观点,但非以任何观点限制本新型的范畴。

请参阅第一、二、三图所示,本发明是揭露一种应用于高温通孔回流焊接制程的连接器结构,其包括有一绝缘座体

1、一底盖2及复数端子3。

绝缘座体1其设有复数端子插槽11,且于绝缘座体1底部周缘可凹设有结合部12。

底盖2是覆设于绝缘座体1底部,而底盖2设有复数个穿孔21,该等穿孔21可与绝缘座体1的复数端子插槽11相对应,且于底盖2周缘可凸设有挡墙22。

复数端子3是分别设置于绝缘座体1的端子插槽11,该端子3设有接触区31,并于接触区31一端延伸设有焊接区32,又端子3于焊接区32末端设有导引区33,且于导引区33外部设有斜面,使导引区33可呈金字塔形式或锥状形式。

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