[实用新型]薄膜太阳能电池的真空制膜设备有效
申请号: | 201120510799.0 | 申请日: | 2011-12-09 |
公开(公告)号: | CN202363425U | 公开(公告)日: | 2012-08-01 |
发明(设计)人: | 黄导阳;江明俊;简谷卫;阎克敏;陈顺铭 | 申请(专利权)人: | 北儒精密股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/20 | 分类号: | H01L21/20;H01L31/20 |
代理公司: | 上海一平知识产权代理有限公司 31266 | 代理人: | 任永武;须一平 |
地址: | 中国台湾台南*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 太阳能电池 真空 设备 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种真空制膜设备,特别是指一种薄膜太阳能电池的真空制膜设备。
背景技术
常见的非晶硅薄膜太阳能电池结构,包含一块玻璃基板、一层沉积在该玻璃基板上的第一透明导电膜、一层沉积在该第一透明导电膜上的非晶硅薄膜,以及一层沉积在该非晶硅薄膜上的第二透明导电膜。其中,该非晶硅薄膜是由一个p型半导体层、一个i型半导体层与一个n型半导体层依序堆迭而成。
在非晶硅薄膜太阳能电池的非晶硅薄膜沉积工序中,所使用的制造设备大致区分成单室多片型、多室单片型、多室连续卷绕型(软性基板用),以及单多室结合型等几种,以下就单室多片型、多室单片型的制膜设备作简单说明。
所谓单室多片型,是在一个真空腔体中放置数片基板,并于此依序完成p型半导体层、i型半导体层与n型半导体层的沉积,以进行批次式作业。虽然此类制膜设备的设备简单、造价较低,但容易造成p型半导体层、i型半导体层与n型半导体层的交叉污染问题,因而影响到电池效能。
所谓多室单片型,是集结数个真空腔体(直列式或团簇式),每个真空腔体中只能放置一片基板,并只在该基板上沉积p型半导体层、i型半导体层或n型半导体层的其中一层,用以进行连续式作业。所以,由于p型半导体层、i型半导体层与n型半导体层是分别在不同的真空腔体中生成,此类制膜设备便可以避免掉p型半导体层、i型半导体层与n型半导体层的交叉污染问题,故电池效能通常较优于单室多片型的。
不过,因i型半导体层的厚度是p型半导体层或n型半导体层的厚度的好几倍,所需沉积时间相对较久,为免影响连续式作业效率,在多室单片型的制膜设备中,会配置多数个用以沉积i型半导体层的真空腔体,如此一来,便会造成整体设备体积大、空间需求大的问题。
有鉴于此,本实用新型申请人是运用多室单片型制膜技术,将数个单片型的沉积腔体以特殊排列方式整合,以能达到生产品质效率佳与设备空间需求小等效果。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种生产品质效率优异,且设备空间需求较小的薄膜太阳能电池的真空制膜设备。
本实用新型的薄膜太阳能电池的真空制膜设备,包含一个转移腔体,以及数个连接该转移腔体的沉积单元;其中:
每个沉积单元具有数个上下层迭排列的单片型的单层沉积腔体,每个单层沉积腔体可与该转移腔体相连通。
本实用新型所述的薄膜太阳能电池的真空制膜设备,还包含一个进料腔体、一个连接设置在该进料腔体与该转移腔体间的预热腔体,以及一个连接该转移腔体的出料腔体,该预热腔体能与该进料腔体相连通,也能与该转移腔体相连通,该出料腔体能与该转移腔体相连通。
本实用新型所述的薄膜太阳能电池的真空制膜设备,还包含一个阀门单元,该阀门单元具有数个分别设置在所述单层沉积腔体与该转移腔体间的第一阀门、一个设置在该出料腔体与该转移腔体间的第二阀门、一个设置在该预热腔体与该转移腔体间的第三阀门、一个设置在该进料腔体与该预热腔体间的第四阀门、一个设置在该进料腔体的远离该预热腔体的一侧的第五阀门,以及一个设置在该出料腔体的远离该转移腔体的一侧的第六阀门。
本实用新型所述的薄膜太阳能电池的真空制膜设备,还包含一个设置在该转移腔体中的载送单元,该载送单元具有二条相平行地设置在该转移腔体中的导轨,以及一个能相对移动地与该导轨结合的载具
本实用新型的有益效果在于,通过每个沉积单元的单片型的单层沉积腔体布置成上下层迭排列的方式,整体可发挥优异的生产品质效率,且设备空间需求小。
附图说明
图1是说明本实用新型一个较佳实施例的薄膜太阳能电池的真空制膜设备的俯剖图;
图2是该较佳实施例的一前视图;
图3是该较佳实施例的一纵剖图。
具体实施方式
为让本实用新型的上述目的、特征和优点能更明显易懂,以下结合附图对本实用新型的具体实施方式作详细说明。首先需要说明的是,本实用新型并不限于下述具体实施方式,本领域的技术人员应该从下述实施方式所体现的精神来理解本实用新型,各技术术语可以基于本实用新型的精神实质来作最宽泛的理解。图中相同或相似的构件采用相同的附图标记表示。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北儒精密股份有限公司,未经北儒精密股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201120510799.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:晶圆状物件的输送系统
- 下一篇:离子束孔径调整装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造