[实用新型]一种盖板、湿法刻蚀槽和湿法刻蚀设备有效
申请号: | 201120516758.2 | 申请日: | 2011-12-12 |
公开(公告)号: | CN202363434U | 公开(公告)日: | 2012-08-01 |
发明(设计)人: | 周伯柱;郑载润;吴代吾;王世凯;訾玉宝;张洪波;耿军;刘剑钊 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 罗建民;邓伯英 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 盖板 湿法 刻蚀 设备 | ||
技术领域
本实用新型涉及湿法刻蚀的技术领域,尤其涉及一种盖板、湿法刻蚀槽和湿法刻蚀设备。
背景技术
湿法刻蚀工艺主要是指采用液态化学药品对刻蚀物进行去除的刻蚀技术。湿法刻蚀是用适当的刻蚀液,与刻蚀物进行化学反应,改变刻蚀物的结构,使无光刻胶覆盖的部分脱离基片表面,而把有光刻胶覆盖的区域保存下来,这样便在基片表面得到了所需要的图形。
湿法刻蚀设备中是在湿法刻蚀槽内利用酸性液体对基板进行刻蚀,生产过程中,酸性液体挥发而成的酸雾逐渐附着在湿法刻蚀槽的盖板上,附着在盖板上的酸性小液滴将逐渐凝结成大的酸性液滴,当大的酸性液滴掉落到基板上时,将导致对基板的刻蚀不均匀,影响产品良率。
实用新型内容
为解决上述问题,本实用新型提供一种盖板、湿法刻蚀槽和湿法刻蚀设备,用于解决湿法刻蚀基板时,酸性液滴落在基板上导致对基板的刻蚀不均匀、产品良率低的问题。
为此,本实用新型提供一种盖板,其中包括:上盖板和下盖板。
其中,所述上盖板和下盖板对合设置,对合设置的所述上盖板和下盖板的周边密闭,所述上盖板和下盖板之间保留预设空间。
其中,所述上盖板设置有排气管口,所述排气管口连接到外部抽气装置。
其中,所述下盖板上设置有通孔。
其中,所述下盖板与所述上盖板相对应一侧的表面为凹凸结构,所述通孔贯穿所述凹凸结构中的凸起位置。
其中,所述凹凸结构包括至少两排凸件,相邻两排凸件之间为凹槽。
其中,所述通孔为圆形孔,所述圆形孔的直径在3-15mm之间。
本实用新型还提供一种湿法刻蚀槽,其中包括上述的任意一种盖板。
本实用新型还提供一种湿法刻蚀设备,其中包括上述的湿法刻蚀槽。
本实用新型具有下述有益效果:
本实用新型提供的盖板、湿法刻蚀槽和湿法刻蚀设备实施例中,将酸雾通过下盖板的通孔和上盖板的排气管口抽离出湿法刻蚀槽,避免酸雾在上盖板和下盖板的表面凝结成酸性液滴而掉落到基板上,防止酸性液滴对基板刻蚀的影响,使对基板的刻蚀更均匀,从而提高产品良率。
附图说明
图1为本实用新型盖板第一实施例立体图;
图2为图1中A-A方向的切面图;
图3为图1所示盖板中的下盖板的立体图;
图4为本实用新型盖板第二实施例的立体图;
图5为图4中B-B方向的切面图;
图6为图4所示盖板中上盖板的立体图;
图7为图4所示盖板中下盖板的立体图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本实用新型的技术方案,下面结合附图对本实用新型提供的盖板、湿法刻蚀槽和湿法刻蚀设备进行详细描述。
图1为本实用新型盖板第一实施例立体图,图2为图1中A-A方向的切面图,图3为图1盖板中的下盖板的立体图。如图1、2和3所示,本实施例盖板包括上盖板101、下盖板102,在上盖板101上设置有排气管口1011,排气管口1011用于连接到外部的抽气机等装置,排气管口1011可以位于上盖板101的任一侧面;在下盖板102上设置有通孔1021;上盖板101和下盖板102对合后,上盖板101和下盖板102之间保留预设空间,通孔1021通过预设空间与排气管口1011连通,并且对合后的上盖板101和下盖板102的周边密闭。
图4为本实用新型盖板第二实施例的立体图,图5为图4中B-B方向的切面图,图6为图4所示盖板中上盖板的立体图,图7为图4所示盖板中下盖板的立体图。如图4、5、6和7所示,本实施例中的下盖板102与上盖板101相对应一侧的表面为凹凸结构,通孔1021贯穿于下盖板102,以将湿法刻蚀槽与上盖板101中的排气管口1011连通。在本实施例中,下盖板102上的凹凸结构中的凸起位置包括至少两排规则的凸件1022,相邻两排凸件1022之间为凹槽1023,通孔1021贯穿于凸件1022。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造