[实用新型]一种ZnO衬底外延结构以及含有该外延结构的ZnO衬底芯片结构有效
| 申请号： | 201120519482.3 | 申请日： | 2011-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN202395023U | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 汪英杰;吉爱华;王凯敏 | 申请（专利权）人： | 内蒙古华延芯光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/08 |
| 代理公司： | 潍坊正信专利事务所 37216 | 代理人： | 张曰俊 |
| 地址： | 017400 内蒙古自治区*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 zno 衬底 外延 结构 以及 含有 芯片 | ||
1.一种ZnO衬底外延结构，包括外延片，其特征在于：所述外延片包括从下至上依次设置的ZnO衬底、GaN过渡层、第一N-GaN接触层、In0.2Ga0.8N/GaN多量子阱发光层、第一P-GaN接触层、N-GaN级联层、第二N-GaN接触层、In0.49Ga0.51N/GaN多量子阱发光层和第二P-GaN接触层。
2.如权利要求1所述的一种ZnO衬底外延结构，其特征在于：所述ZnO衬底的厚度为50～200um。
3.如权利要求1所述的一种ZnO衬底外延结构，其特征在于：所述GaN过渡层的厚度为10～100nm。
4.如权利要求1所述的一种ZnO衬底外延结构，其特征在于：所述第一N-GaN接触层、第二N-GaN接触层的厚度均为200～1000nm。
5.如权利要求1所述的一种ZnO衬底外延结构，其特征在于：所述In0.2Ga0.8N/GaN多量子阱发光层的厚度为1000～10000nm。
6.如权利要求1所述的一种ZnO衬底外延结构，其特征在于：所述第一P-GaN接触层、第二P-GaN接触层的厚度均为80～600nm。
7.如权利要求1所述的一种ZnO衬底外延结构，其特征在于：所述N-GaN级联层的厚度为100～1000nm。
8.如权利要求1所述的一种ZnO衬底外延结构，其特征在于：所述In0.49Ga0.51N/GaN多量子阱发光层的厚度为1000～10000nm。
9.一种ZnO衬底芯片结构，其特征在于：包括权利要求1所述的外延片；所述外延片的第二P-GaN接触层上设置有P电极，N-GaN接触层上设置有N电极。
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