[实用新型]低辐射镀膜玻璃有效
申请号: | 201120545489.2 | 申请日: | 2011-12-23 |
公开(公告)号: | CN202390316U | 公开(公告)日: | 2012-08-22 |
发明(设计)人: | 林嘉宏 | 申请(专利权)人: | 林嘉宏 |
主分类号: | C03C17/36 | 分类号: | C03C17/36 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 董建林 |
地址: | 中国台湾台北市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 辐射 镀膜 玻璃 | ||
技术领域
本实用新型涉及玻璃深加工中的镀膜技术领域,具体是一种低辐射镀膜玻璃。
背景技术
传统的低辐射玻璃往往都是双银镀膜玻璃的结构,具体结构包括:玻璃基底和在玻璃基底上依次向上沉积的第一介电质层、银膜层、第一阻挡层、第二介电质层、银膜层、第二阻挡层,以及第三介电质层,按照所述结构生产的镀膜玻璃其透过色呈蓝绿色,此玻璃用于建筑后,透过此玻璃,从室内往室外看时,外界的物体也被增添了蓝绿色调,使得外界景物发生色变。
发明内容
本实用新型的技术目的是克服现有技术存在的缺陷,提供一种新型的低辐射镀膜玻璃,使镀膜后的玻璃呈自然色。
本实用新型的技术方案为:
一种低辐射镀膜玻璃,包括玻璃基片和镀制在玻璃基片上的膜系,其特征在于,所述膜系自玻璃基片向外依次包括:
第一电介质层、第二电介质层、第一功能层、第一阻挡层、中间电介质组合层、第三电介质层、第二功能层、第二阻挡层、顶层下电介质层、顶层上电介质层。
作为优选的技术方案:
所述第一功能层为Cu层,所述第二功能层为Ag层;
所述第一电介质层可设为Si3N4、ZnSnO3、TiO2或者SiOxNy膜层中的一种;
所述第二电介质层、第三电介质层为ZnO层;
所述第一阻挡层的为NiCr、AZO、Ti、Nb2O5或NiCrOx膜层中的一种;
所述中间电介质组合层为ZnSnO3、Si3N4膜层中的一种或者二者的组合层;
所述第二阻挡层设为NiCr、AZO、Ti、Nb2O5或NiCrOx膜层中的一种;
所述顶层下电介质层为ZnSnO3层;
所述顶层上电介质层为Si3N4层。
一种用于制造上述低辐射镀膜玻璃的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:
在所述玻璃基片上镀制Si3N4、ZnSnO3、TiO2或者SiOxNy膜层中的一种作为第一电介质层;
在所述第一电介质层上镀制作为第二电介质层的ZnO层;
在所述第二电介质层上镀制作为第一功能层的Cu层;
在所述第一功能层上镀制NiCr、AZO、Ti、Nb2O5或NiCrOx膜层中的一种作为第一阻挡层;
在所述第一阻挡层上镀制ZnSnO3、Si3N4膜层中的一种或者二者的组合层层作为中间电介质组合层;
在所述中间电介质组合层上镀制第三电介质层的ZnO层;
在所述第三电介质层上镀制第二功能层的Ag层;
在所述第二功能层上镀制NiCr、AZO、Ti、Nb2O5或NiCrOx膜层中的一种作为第二阻挡层;
在所述第二阻挡层上镀制作为顶层下电介质层的ZnSnO3层;
在所述顶层下电介质层上镀制作为顶层上电介质层的Si3N4层;
上述玻璃结构中,Si3N4层使用质量百分比为92:8的硅铝靶,采用双旋转阴极、中频反应磁控溅射方式在氩、氮氛围中溅射沉积,功率为20-80kw,电源频率为20-40kHz;
SiOxNy层使用质量百分比为92:8的硅铝靶,采用双旋转阴极、中频反应磁控溅射方式在氩、氮、氧氛围中溅射沉积,功率为20-80kw,电源频率为20-40kHz;
AZO层使用陶瓷锌铝靶,采用双旋转阴极、中频反应磁控溅射方式在氩、氧氛围中溅射沉积,功率为5-15kw,电源频率为20-40kHz;
ZnSnO3层使用质量百分比为50:50的锌锡合金靶,采用双旋转阴极、中频反应磁控溅射方式在氩、氧氛围中溅射沉积,功率为10-70kw,电源频率为20-40kHz;
NiCrOx层使用镍铬合金靶,采用平面阴极、直流磁控溅射方式在纯氩氛围中溅射沉积,功率为2-10kw;
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