[实用新型]一种功率开关管保护电路有效
申请号: | 201120556774.4 | 申请日: | 2011-12-28 |
公开(公告)号: | CN202475234U | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | 江石根;徐君怡 | 申请(专利权)人: | 苏州华芯微电子股份有限公司 |
主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215011 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 功率 开关 保护 电路 | ||
1.一种功率开关管保护电路,包括芯片电源检测单元、功率开关管和配合功能电路,其特征在于它还包括功率开关控制单元,所述功率开关控制单元与芯片电源检测单元和功率开关管连接。
2.根据权利要求1所述功率开关管保护电路,其特征在于:所述功率开关管包括第三NMOS管和第三电阻;第三NMOS管的栅极经第三电阻与G1端连接。
3.根据权利要求1或2所述功率开关管保护电路,其特征在于:所述功率开关控制单元包括第一NMOS管、第二NMOS管、第一NPN晶体管、第二NPN晶体管、第一PNP晶体管、第一电阻和第二电阻;第一NMOS管的栅极和第二NMOS管的栅极连接后与芯片电源检测单元连接,第一NMOS管和第二NMOS管的源极均接地,第一NMOS管的漏极和第一NPN晶体管的基极连接,第一NPN晶体管的发射极接地,第一NPN晶体管的集电极和第一PNP晶体管的基极连接,第一PNP晶体管的集电极和第二NMOS管的漏极连接后与第二NPN晶体管的基极连接,第二NPN晶体管的发射极接地,第一NMOS管的漏极经第一电阻和第一NPN晶体管的集电极经第二电阻连接后与第一PNP晶体管的发射极、第二NPN晶体管的集电极、其他功能电路和G1端连接。
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H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
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H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置