[实用新型]一种功率开关管保护电路

说明书

技术领域

本实用新型特别涉及集成电路领域的一种功率开关管保护电路。

技术背景

目前电源管理类特别是功率因数校正类集成电路的应用十分广泛，在该类应用中许多场合都需要功率开关管。在一些情况下，如果出现功率开关管长时间连续导通就会出现功率开关管发热严重，甚至烧坏功率开关管及整个系统，在部分用到有源功率因数校正场合中，严重的会出现功率开关管及保险丝等器件爆炸等极端情况，危害很大。一般该类集成电路会有保护电路来避免该类情况发生，但它们往往是只是集成电路芯片的电源端达到正常电压后才起作用，而在上电期间，特别是芯片电源电压较低的情况下，在功率开关管的控制端可能会出现不定电压态，不是非常安全。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提出一种可靠性更佳，安全裕度更高的功率开关管保护电路。

为实现上述目的，本实用新型提出如下技术方案：

一种功率开关管保护电路，包括芯片电源检测单元、功率开关管、其他功能电路以及一功率开关控制单元，所述功率开关控制单元与芯片电源检测单元和功率开关管连接。

优选的，所述功率开关管包括第三NMOS管和第三电阻；第三NMOS管栅极经第三电阻与G1端连接。

优选的，所述功率开关控制单元包括第一NMOS管、第二NMOS管、第一NPN晶体管、第二NPN晶体管、第一PNP晶体管、第一电阻和第二电阻；第一NMOS管的栅极和第二NMOS管的栅极连接后与芯片电源检测单元连接，第一NMOS管的源极和第二NMOS管的源极均接地，第一NMOS管的漏极和第一NPN晶体管的基极连接，第一NPN晶体管的发射机接地，第一NPN晶体管的集电极和第一PNP晶体管的基极连接，第一PNP晶体管的集电极和第二NMOS管的漏极连接后与第二NPN晶体管的基极连接，第二NPN晶体管的发射极接地，第一NMOS管的漏极经第一电阻和第一NPN晶体管的集电极经第二电阻连接后与第一PNP晶体管的发射极、第二NPN晶体管的集电极、其他功能电路和G1端连接。

本实用新型的工作原理为：当电源电压达到芯片能正常工作电压时，使功率开关管控制单元关闭，让其对功率开关管不产生作用，不影响正常工作；当电源电压未达到芯片能正常工作电压时，使功率开关管控制单元打开，让功率开关管更可靠的关闭。

本实用新型的有益效果在于可靠性更佳，安全裕度更高。

附图说明

图1是实施列1中功率开关管保护电路的结构框图；

图2是实施列1中功率开关管保护电路的电路图。

具体实施方式

实施例1如图1-2所示U1为本实用新型所属的集成电路芯片，其它电路为芯片的其它功能电路，UVLO单元为芯片电源检测单元，第三NMOS管为功率开关管。第三NMOS管的栅极经第三电阻与G1端连接，第一NMOS管的栅极和第二NMOS管的栅极连接后与芯片电源检测单元连接，第一NMOS管的源极接地，第二NMOS管的源极接地，第一NMOS管的漏极和第一NPN晶体管的基极连接，第一NPN晶体管的发射机接地，第一NPN晶体管的集电极和第一PNP晶体管的基极连接，第一PNP晶体管的集电极和第二NMOS管的漏极连接后与第二NPN晶体管的基极连接，第二NPN晶体管的发射极接地，第一NMOS管的漏极经第一电阻和第一NPN晶体管的集电极经第二电阻连接后与第一PNP晶体管的发射极、第二NPN晶体管的集电极、其他功能电路和G1端连接。

当电源电压达到芯片能正常工作电压时，使功率开关管控制单元关闭，让其对功率开关管不产生作用，不影响正常工作；当电源电压未达到芯片能正常工作电压时，使功率开关管控制单元打开，让功率开关管更可靠的关闭。

本实用新型的技术内容及技术特征已揭示如上，然而熟悉本领域的技术人员仍可能基于本实用新型的教示及揭示而作种种不背离本实用新型精神的替换及修饰，因此，本实用新型保护范围应不限于实施例所揭示的内容，而应包括各种不背离本实用新型的替换及修饰，并为本专利申请权利要求所涵盖。