[实用新型]多芯片晶圆级半导体封装构造

权利要求书

1.一种多芯片晶圆级半导体封装构造，其特征在于：所述多芯片晶圆级半导体封装构造包含：

一重布线电路层，具有一第一表面及一第二表面；

至少一第一芯片，位于所述重布线电路层的第一表面上，并电性连接到所述重布线电路层；

一间隔层，位于所述重布线电路层的第一表面上及所述第一芯片的上方，并设有数个转接垫、一重布线层、数个导通孔及数个柱状凸块，所述导通孔位于所述间隔层内并连接在所述转接垫及重布线层之间，所述柱状凸块结合在所述间隔层的转接垫及所述重布线电路层之间，且所述柱状凸块排列在所述第一芯片的周边；

一第一封装胶材，位于所述重布线电路层的第一表面上，并包覆所述第一芯片、所述间隔层的重布线层的周边、所述转接垫与所述柱状凸块；以及至少一第二芯片，位于所述间隔层的重布线层上，并电性连接到所述间隔层的重布线层上。

2.如权利要求1所述的多芯片晶圆级半导体封装构造，其特征在于：所述第一封装胶材具有一开口，所述开口裸露所述间隔层的重布线层的一中央区的数个重分布接垫，所述第二芯片位于所述开口内的重布线层的中央区上。

3.如权利要求1所述的多芯片晶圆级半导体封装构造，其特征在于：所述第一封装胶材另包覆所述间隔层的重布线层的一中央区及所述第二芯片。

4.如权利要求1所述的多芯片晶圆级半导体封装构造，其特征在于：所述第一封装胶材为光刻胶、环氧树脂、压合片或激光活化材料。

5.如权利要求1所述的多芯片晶圆级半导体封装构造，其特征在于：所述多芯片晶圆级半导体封装构造另包含：一第二封装胶材，位于所述第一封装胶材及所述间隔层的重布线层上，以包覆所述重布线层的一中央区及所述第二芯片。

6.如权利要求5所述的多芯片晶圆级半导体封装构造，其特征在于：所述第二封装胶材为环氧树脂。

7.如权利要求1所述的多芯片晶圆级半导体封装构造，其特征在于：所述间隔层是选自硅间隔层、玻璃间隔层、有机间隔层或氮化铝间隔层。

8.如权利要求1所述的多芯片晶圆级半导体封装构造，其特征在于：每一所述柱状凸块的一底端具有一预焊料，以焊接结合所述重布线电路层的第一表面裸露的数个第一接垫。

9.如权利要求1所述的多芯片晶圆级半导体封装构造，其特征在于：所述重布线电路层的第二表面具有数个第二接垫，所述第二接垫分别结合有一外接凸块。

10.一种多芯片晶圆级半导体封装构造，其特征在于：所述多芯片晶圆级半导体封装构造包含：

一重布线电路层，具有一第一表面及一第二表面，所述第一表面设有数个第一接垫，及所述第二表面设有数个第二接垫；

至少一第一芯片，位于所述重布线电路层的第一表面上，并设有数个第一焊垫，所述第一焊垫电性连接到所述重布线电路层的第一接垫上；

一间隔层，位于所述重布线电路层的第一表面上及所述第一芯片的上方，并设有数个转接垫、一重布线层、数个导通孔及数个柱状凸块，所述导通孔位于所述间隔层内并连接在所述转接垫及重布线层之间，所述重布线层裸露有数个重分布接垫，所述柱状凸块结合在所述间隔层的转接垫及所述重布线电路层的第一接垫之间，且所述柱状凸块排列在所述第一芯片的周边；

一第一封装胶材，位于所述重布线电路层的第一表面上，并包覆所述第一芯片、所述间隔层的重布线层的周边、所述转接垫与所述柱状凸块；以及

至少一第二芯片，位于所述间隔层的重布线层上，并设有数个第二焊垫，所述第二焊垫电性连接到所述间隔层的重分布接垫上。