[实用新型]一种检测探针卡试打位置的测试键

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种模拟电性参数测试键，尤其涉及一种检测探针卡试打位置的测试键。

背景技术

探针卡主要目的是将探针卡上的探针直接与芯片上的焊垫或凸块直接接触，引出芯片讯号，再配合周边测试仪器与软件控制达到自动化量测的目的。随着半导体工艺制备对面积和线宽的要求越来越小，对应着晶片上一些模拟电性参数测试键的面积也会越来越小。现有测试键的金属视窗和焊垫视窗尺寸由原来的60×60μm(长×宽)变成60×40μm(长×宽)或54×40μm(长×宽)。由于测试键的视窗很小，探针卡必须打在金属视窗和焊垫视窗的中间。操作探针卡的人员要自行判断探针卡的针痕是否在金属视窗和焊垫视窗的中间。如图1所示，现有的探针卡的针痕往往不在中间，而是向上或向下偏出金属视窗或焊垫视窗几微米的距离。特别是金属视窗下面，及金属视窗的上面或下面都会有测试键的走线。测试探针卡偏出金属键后就会打在测试键的金属走线上，导致一些测试异常发生。特别是很多测试划片槽缩减以后，测试金属视窗和焊垫视窗都相应变小，这样的晶片越多，测试异常率越高，特别是在金属层抽测率就越会出现这样的测试异常。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种检测探针卡试打位置的测试键，其使试打人员清晰地界定探针卡试打位置是否偏移，避免产品因为试打针痕的偏出而导致测试异常。

为达到上述目的，本实用新型采用如下技术方案：

一种检测探针卡试打位置的测试键，所述测试键设置有用于衡量探针卡试打位置的标尺。

进一步地，所述测试键每一层都设置有用于衡量探针卡试打位置的标尺。

进一步地，所述测试键还设置有测试焊垫，所述标尺位于测试键的第一个测试焊垫的左边和最后一个测试焊垫的右边。

进一步地，所述测试焊垫设置有金属视窗或焊垫视窗，所述标尺具有标示出所述金属视窗或焊垫视窗的上下位置的第一组刻度。

进一步地，所述第一组刻度为距金属视窗或焊垫视窗上面6μm和下面6μm的位置所标出的刻度。

进一步地，所述的标尺还具有标示出金属视窗或焊垫视窗的中间位置的第二组刻度。

进一步地，所述第二组刻度为在所述第一组刻度之间平分4等分的位置所标出的刻度。

本实用新型利用测试键上设置的标尺标出针痕刻度，试打人员根据标尺标示出针痕位置清晰地判断并调整试打位置，避免了凭借试打人员的直觉试打，这样不仅降低了由于试打针痕异常导致的测试异常，还降低了试打人员分析异常的次数，晶片重测次数，提高了产能利用率。

附图说明

图1为现有技术中探针卡试打针痕位置偏移图；

图2为本实用新型一种监测探针卡试打位置的测试键的示意图；

图3为图2示意图第一个测试焊垫的放大示意图；

图4为图2示意图最后一个测试焊垫的放大示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下面结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

如图2所述，本实用新型提供的检测探针卡试打位置的测试键，所述测试键设置有用于衡量探针卡试打位置的标尺。

应用时，本实用新型利用测试键上设置的标尺标出针痕刻度，试打人员根据标尺标示出针痕位置清晰地判断并调整试打位置，避免了凭借试打人员的直觉试打，这样不仅降低了由于试打针痕异常导致的测试异常，还降低了试打人员分析异常的次数，晶片重测次数，提高了产能利用率。

为了使试打人员在进行晶片可接受性测试时，每层都有标尺作为标准去校验试打针痕，在测试键每一层都设置有用于衡量探针卡试打位置的标尺。

进一步地，如图2所示，所述测试键还设置有测试焊垫，为了不影响测试键的绕线，所述标尺位于测试键的第一个测试焊垫的左边和最后一个测试焊垫的右边。这样试打人员可以看第一个刻度试打针痕，也可以通过最后一个是测试焊垫右边的刻度检查各个针痕是否在水平线上，降低试打异常带来的测试异常。