[实用新型]LED发光器件

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种发光器件，更确切地说，是一种LED发光器件。

背景技术

LED是取自Light Emitting Diode三个字的缩写，中文译为“发光二极管”，顾名思义，发光二极管是一种可以将电能转化为光能的电子器件具有二极管的特性。现有的大功率LED，采用贴片封装，而大电流的冲击经常极容易导致整个LED报废。

中国实用新型专利ZL201020137087.4公开了一种大电流驱动的垂直结构LED芯片，垂直结构LED芯片包括导电支持衬底、半导体外延层、焊盘绝缘层、电极绝缘层、打线焊盘、电极。其中，半导体外延层键合于导电支持衬底上；焊盘绝缘层和电极绝缘层形成在半导体外延层上；打线焊盘形成在焊盘绝缘层上；电极包括至少一个条形电极，条形电极是从一组电极中选出，该组电极包括，非有效条形电极、有效条形电极、混合条形电极；有效条形电极形成在半导体外延层上；非有效条形电极形成在电极绝缘层上而不直接与半导体外延层接触；混合条形电极包括有效电极部分和非有效电极部分，有效电极部分形成在半导体外延层上，非有效电极部分形成在焊盘绝缘层和/或电极绝缘层上。这种LED采用多个条形电极来分流电流，对于冲击电流的耐受力有限。

实用新型内容

本实用新型主要是解决现有技术所存在的技术问题，从而提供一种抗大电流冲击的LED发光器件。

本实用新型的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的：

一种LED发光器件，包含一LED芯片座和一位于所述的LED芯片座上方的保护罩，所述的保护罩包含一伸展部和一球形的散射部，所述的LED芯片座包含一衬底和位于所述的衬底的上方并覆盖所述的衬底的贴片电极，所述的LED芯片座的中央设有一半导体发光基材部，所述的半导体发光基材部通过一跨接导线与所述的贴片电极相连接。

作为本实用新型的较佳的实施例，所述的贴片电极包含一突出的叉形部，所述的叉形部的末端设有一第一突出部，所述的半导体发光基材部设有一第二突出部，所述的跨接导线连接所述的第一突出部和第二突出部。

作为本实用新型的较佳的实施例，所述的跨接导线为扁平的金线。

作为本实用新型的较佳的实施例，所述的半导体发光基材部包含至少一个发光基材片段。

由于本实用新型的LED发光器件利用多个发光基材片段组成半导体发光基材部，同时，利用贴片电极上突出的叉形部和第一突出部、第二突出部，大大提高了整个LED的对大电流的耐受力。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型的LED发光器件的立体结构示意图；

图2为图1中的LED发光器件的立体结构分解示意图；

图3为图2中的LED发光器件的A区域的细节放大示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的优选实施例进行详细阐述，以使本实用新型的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本实用新型的保护范围做出更为清楚明确的界定。

本实用新型提供了一种LED发光器件。

如图1至图3所示，一种LED发光器件1，包含一LED芯片座2和一位于该LED芯片座2上方的保护罩3，该保护罩3包含一伸展部31和一球形的散射部32，该LED芯片座2包含一衬底21和位于该衬底21的上方并覆盖该衬底21的贴片电极22，该LED芯片座2的中央设有一半导体发光基材部23，该半导体发光基材部23通过一跨接导线223与该贴片电极22相连接。

该贴片电极22包含一突出的叉形部222，该叉形部222的末端设有一第一突出部224，该半导体发光基材部23设有一第二突出部225，该跨接导线223连接该第一突出部224和第二突出部225。

该跨接导线223为扁平的金线。

该半导体发光基材部23包含至少一个发光基材片段231。

该实用新型的LED发光器件利用多个发光基材片段组成半导体发光基材部，同时，利用贴片电极上突出的叉形部和第一突出部、第二突出部，大大提高了整个LED的对大电流的耐受力。

以上仅仅以一个实施方式来说明本实用新型的设计思路，在系统允许的情况下，本实用新型可以扩展为同时外接更多的功能模块，从而最大限度扩展其功能。

以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何不经过创造性劳动想到的变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应该以权利要求书所限定的保护范围为准。