[实用新型]光伏叠放硅片高速取片装置有效
申请号: | 201120573754.8 | 申请日: | 2011-12-31 |
公开(公告)号: | CN202373619U | 公开(公告)日: | 2012-08-08 |
发明(设计)人: | 朱绍明;戴军 | 申请(专利权)人: | 苏州罗博特科自动化设备有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/67 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 夏烨 |
地址: | 215000 江苏省苏州市苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 叠放 硅片 高速 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及光伏电池制造设备,具体涉及一种光伏叠放硅片高速取片装置。
背景技术
目前,在光伏叠放硅片过程中,使用对吹的单孔风刀或者双孔单边吹的风刀,对于低速取片没有问题。但是,对于高速取片(大于2000片/小时),分离效果不好,容易造成粘片。主要原因是,对吹的单孔风刀或双孔单边吹的风刀,均形成两个柱状吹风效果,虽然能将硅片进行一定的分离,但是最上面的硅片与其余硅片不能实现真正的稳定分离,会在一定程度上与下面的硅片接触。在低速时,由于吸盘对周边气流影响不大,所以没有完全分离的硅片在重力的作用下,第二片硅片也不会被带起。但是高速取片时,由于吸盘带动的周边气流影响,会将没有完全分离的第二片或多片硅片也一起带起,从而发生粘片进而造成碎片。
为了克服这个问题,还有将风刀在工作时移近硅片的方法,该方法在分离硅片完成后,再将风刀移开,以便取走硅片盒。但是,这种方法机构十分繁琐,使用不方便。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种光伏叠放硅片高速取片装置,能够使硅片完全分离,实现快速取片。
为了解决上述技术问题,本实用新型采用如下的技术方案:
一种光伏叠放硅片高速取片装置,包括内部叠置有硅片的硅片盒、设于硅片盒侧部的组合风刀和设于硅片盒上方的高速吸盘,组合风刀包括对称设于硅片盒两侧的对吹多孔风刀。
所述每个对吹多孔风刀包括刀体,设于刀体一端的进风管,设于刀体另一端的相平行的多个吹嘴,刀体内开有与进风管、吹嘴相连通的风道。
所述吹嘴的数量为两个、三个或其它多个。
所述吹嘴的内孔直径为1mm。
所述对吹多孔风刀的两个吹嘴之间的中心距为44mm。
所述吹嘴与硅片盒内硅片的边部相距3cm。
采用本实用新型的光伏叠放硅片高速取片装置,具有如下优点:
1、结构简单、容易制造,操作简单;
2、多孔对吹结构在硅片分离时,能够形成稳定对称的抬升力,可以将最上面的硅片与其余硅片完全分离,从而不会受吸盘气流影响,防止造成粘片,满足快速取片需求。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式本实用新型进行详细说明:
图1是本实用新型的取片装置的结构图。
图2是本实用新型的组合风刀的俯视图。
图3是本实用新型的对吹多孔风刀的剖视图。
具体实施方式
如图1、图2所示,本实用新型的光伏叠放硅片高速取片装置包括内部叠置有硅片3的硅片盒2、设于硅片盒2侧部的组合风刀1和设于硅片盒2上方的高速吸盘4,组合风刀1包括对称设于硅片盒2两侧的对吹多孔风刀5,所述每个对吹多孔风刀5结构如图3所示,包括刀体6,设于刀体6一端的进风管7,设于刀体6另一端的相平行的多个吹嘴8,刀体6内开有与进风管7、吹嘴8相连通的风道9。吹嘴的数量可以为两个、三个或其它多个,图3中所示的为两个。使用时,通过对吹多孔风刀在硅片3两侧同时吹风进行硅片3分离时,可以形成稳定对称的抬升力,可以将最上面的硅片3与其余硅片3完全分离。这样在高速取片时,高速吸盘4带动的周边气流已经不能影响到第二片硅片3,因而不会造成粘片。
另外,经过多次实验证明,对于尺寸为156mmx156mm的硅片3,可采用两孔对吹的形式,并将吹嘴8的内孔直径设计为1mm,两个吹嘴8之间的中心距设计为44mm,并且将吹嘴8与硅片盒2内硅片3的边部相距为3cm,吹风气压约3bar,两个吹嘴8之间的中心距设计为44mm,并且将吹嘴8与硅片盒2内硅片3的边部相距为3cm,吹风气压约0.8bar时,不仅能将第一片硅片3分开,第二片甚至第三片相互之间也是完全分离的,达到了很好的分离的效果,并通过高速吸盘4的吸取,完全能够满足3000片/小时以上的高速取片作业。
但是,本技术领域中的普通技术人员应当认识到,以上的实施例仅是用来说明本实用新型,而并非用作为对本实用新型的限定,只要在本实用新型的实质精神范围内,对以上所述实施例的变化、变型都将落在本实用新型的权利要求书范围内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的