[实用新型]一种单晶炉排气装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池制作工艺技术领域，更具体地说，涉及一种单晶炉排气装置。

背景技术

太阳能电池是人们利用太阳能的一种主要形式。其中，单晶硅是制造太阳能电池的主要材料，单晶硅通常是用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅，该工艺在单晶炉中进行，主要包括：抽真空、加热、熔化、长晶、退火和冷却五个步骤。在进行单晶硅生产时，首先要进行抽真空处理，控制炉内压强在一个设定的低压值，而在铸锭时由于温度升高及硅蒸汽的增加导致炉内压强升高，所以通过与真空泵连接的抽气口排出炉内的气体，使炉内气压稳定在所述低压值。需要说明的是为了保证单晶硅的质量，在排气时要保证炉内气流的通畅，避免炉内气压出现较大波动。

参考图1，图1为现有的单晶炉结构示意图，包括：炉体1；设置在炉体1中央的坩埚托杆2，所述坩埚托杆2用于支撑坩埚；设置在炉体底部3上方保护层4；反射板，所述反射板包括上反射板5和下反射板6，所述反射板通过设置在所述保护层4上方的调节螺钉7及与所述调节螺钉7相匹配的调节螺母8固定；铺设在保护层4上的炉底压片9；设置在所述坩埚托杆2与保护层4及炉底压片9之间的托杆护套10；在炉体上设置有抽气口11，抽气口11有两个，对称分布在炉体的左右两侧；其中，所述抽气口11用于排气或抽真空处理；所述反射板设置在炉体顶部的加热器的正下方，用于反射热辐射能量，提高能量的利用率，降低能耗。

反射板的应用虽然提高了能量的利用率，降低了能耗。但是，由于反射板对于热辐射的反射作用，导致反射板下方(下反射板的下方)空间的温度较低，导致硅蒸汽易在反射板下方的工件上凝结，从而造成工件之间的粘结，造成了工件拆装困难；同时，气流是从上至下流动的，在气流流动过程中，由于受到反射板的阻挡，气体流通不畅，造成气体漩涡，从而使炉内压强产生较大波动，从而影响单晶硅的质量。

实用新型内容

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种单晶炉排气装置，该单晶炉排气装置通过特定的排气管路，避免了硅蒸汽在反射板下方工件的凝结造成的工件拆装困难及在排气过程中反射板对气流的阻挡导致的炉内压强产生较大波动的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种单晶炉排气装置，所述单晶炉包括炉体和铺设在所述炉体底部的保护层，该排气装置包括：

设置在所述保护层上方的反射板，所述反射板设置在所述加热器的正下方；

其中，所述反射板包括上下反射板，并且该反射板上设置有贯穿上下反射板的通孔，所述通孔内设置有导气管，所述导气管与靠近反射板的炉体抽气口连通，并且，所述导气管的形状和大小与所述通孔的形状相匹配。

优选的，上述排气装置中，所述导气管通过导气管护套与炉体抽气口连通。

优选的，上述排气装置中，所述导气管护套包括水平排气管和方形管，所述方形管具有竖直接口和水平接口，所述竖直接口与所述导气管下端连通，所述水平接口与所述水平排气管的一端连通，所述水平排气管的另一端与所述抽气口连通。

优选的，上述排气装置中，所述导气管为“L”字形的导气管，所述“L”字形的导气管的竖直端连通所述通孔，所述“L”字形的导气管的水平端连接所述抽气口。

优选的，上述排气装置中，所述通孔包括为圆形通孔或方形通孔

优选的，上述排气装置中，所述导气管为：

聚偏氟乙烯导气管；

或聚丙烯导气管。

优选的，上述排气装置中，所述导气管护套为：

聚偏氟乙烯护套；

或聚丙烯护套。

从上述技术方案可以看出，本实用新型所提供的单晶炉排气装置包括：设置在所述保护层上方的反射板，所述反射板设置在所述加热器的正下方；其中，所述反射板包括上下反射板，并且该反射板上设置有贯穿上下反射板的通孔，所述通孔内设置有导气管，所述导气管与靠近反射板的炉体抽气口连通，并且，所述导气管的形状和大小与所述通孔的形状相匹配。

通过设置在所述通孔中的导气管将硅蒸汽直接从反射板的上方(上反射板的上方)排出炉体。由于炉内是低气压，排气是在真空泵作用下的主动排气，所以硅蒸汽直接通过与所述抽气口连通的导气管排出炉体，即硅蒸汽是从反射板上方排出炉体的，不会在反射板下方积聚，从而避免了硅蒸汽在反射板下方工件附件的凝结；同时，由于硅蒸汽是直接从反射板的上方排至炉体外部的，避免了排气时反射板对气流的遮挡，从而保证了排气时气流的通畅，避免了炉内气体压强产生较大的波动，保证单晶硅的产品质量。

附图说明