[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

在基板上形成薄膜的工序；

在所述薄膜上形成光阻掩模的抗蚀剂掩模形成工序，其中所述光阻掩模形成有椭圆孔图案；

通过在所述椭圆孔图案的侧壁形成绝缘膜来缩小所述椭圆孔图案的孔径的缩小工序；以及

将形成缩小了所述孔径的椭圆孔图案的所述光阻层和所述绝缘膜作为掩模对所述薄膜进行蚀刻的工序。

2.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

基于第一图案对形成在基板上的薄膜进行蚀刻的第一蚀刻工序；

填埋被形成在所述薄膜上的所述第一图案的第一成膜工序；

在所述第一图案之上形成光阻掩模的掩模形成工序，其中所述光阻掩模形成有第二图案；

通过在所述光阻掩模的所述第二图案内的侧壁形成绝缘膜来缩小所述第二图案的孔径的缩小工序；以及

将形成所述孔径缩小了的第二图案的所述光阻层和所述绝缘膜作为掩模对所述薄膜进行蚀刻的工序。

3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述绝缘膜包含氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiN)、氧化铝(Al₂O₃)、氮化铝(AlN)、氧化钛(TiO₂)、非晶硅中的任意种。

4.根据权利要求2或3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述绝缘膜在140℃以下的温度下形成。

5.根据权利要求2至4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述缩小工序之前，包括将所述第二图案细化的细化工序。

6.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

通过基于具有至少一部分平行的第一图案的光阻对形成在半导体晶片基板上的多晶硅膜进行蚀刻来形成具有所述第一平行图案的多晶硅的工序，其中所述光阻形成在所述多晶硅膜上；

用反射防止膜填埋所述多晶硅的第一图案的工序；

在所述第一图案之上形成具有第二图案的光阻的工序；

通过在所述光阻之上形成绝缘膜来缩小所述第二图案的孔的直径的工序；

将形成所述缩小了的第二图案的所述光阻和所述绝缘膜作为掩模对所述孔的底部的所述绝缘膜和所述反射防止膜进行蚀刻来使所述多晶硅膜露出的工序；以及

通过基于在所述露出工序中得到的新的孔对所述多晶硅膜进行蚀刻来形成多晶硅的图案的蚀刻工序。

7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述绝缘膜包含氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiN)、氧化铝(Al₂O₃)、氮化铝(AlN)、氧化钛(TiO₂)、非晶硅中的任意种。

8.根据权利要求6或7所述的半导体装置的制造方法，特征在于，所述绝缘膜在140℃以下的温度下形成。

9.根据权利要求6至8中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，包括通过灰化和湿式洗净来去除所述多晶硅上的反射防止膜和光阻的工序。

10.根据权利要求6至9中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述缩小工序之前，包括将所述第二图案细化的细化工序。