[发明专利]薄膜半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜半导体器件的制造方法，包括：

第一工序，准备基板；

第二工序，在所述基板上形成栅电极；

第三工序，在所述栅电极上形成第一绝缘膜；

第四工序，在所述第一绝缘膜上形成成为沟道层的半导体薄膜；

第五工序，在所述半导体薄膜上形成第二绝缘膜；

第六工序，通过对所述第二绝缘膜照射光线，提高所述第二绝缘膜的透射率；以及

第七工序，在所述沟道层的上方形成源电极以及漏电极。

2.根据权利要求1所述的薄膜半导体器件的制造方法，

在所述第五工序中，形成对所述光线的透射率小于37％的由有机材料构成的所述第二绝缘膜，

在所述第六工序中，通过照射所述光线使所述第二绝缘膜的透射率为37％以上。

3.根据权利要求1或2所述的薄膜半导体器件的制造方法，

在所述第四工序中，形成非晶的所述半导体薄膜，

在所述第六工序中，通过从所述第二绝缘膜的上方照射所述光线，使所述第二绝缘膜的下方的所述半导体薄膜结晶化。

4.根据权利要求1或2所述的薄膜半导体器件的制造方法，

在所述第四工序中，形成非晶的所述半导体薄膜，

进而，在所述第六工序与所述第七工序之间，包含使所述半导体薄膜结晶化的工序。

5.根据权利要求1或2所述的薄膜半导体器件的制造方法，

在所述第四工序中，形成结晶化的所述半导体薄膜。

6.根据权利要求1～5中的任一项所述的薄膜半导体器件的制造方法，

在照射所述光线前，所述第二绝缘膜的吸光系数与所述第二绝缘膜的膜厚之积大于1。

7.根据权利要求1～5中的任一项所述的薄膜半导体器件的制造方法，

在照射所述光线后，所述第二绝缘膜的吸光系数与所述第二绝缘膜的膜厚之积为1以下。

8.根据权利要求1～7中的任一项所述的薄膜半导体器件的制造方法，

在所述第六工序中，通过照射所述光线来使所述第二绝缘膜无机化。

9.根据权利要求8所述的薄膜半导体器件的制造方法，

通过所述光线在所述第二绝缘膜内进行光反应或热反应，从而发生所述无机化。

10.一种薄膜半导体器件，具备：

基板；

栅电极，其形成于所述基板上；

第一绝缘膜，其形成于所述栅电极上；

结晶半导体薄膜，其形成于所述第一绝缘膜上；

源电极以及漏电极，其形成于所述结晶半导体薄膜的上方；以及

第二绝缘膜，其形成于所述结晶半导体薄膜上；

所述第二绝缘膜通过对该第二绝缘膜的前驱体照射所述光线而形成，

所述第二绝缘膜对所述光线的透射率，在照射所述光线后比照射所述光线前高。

11.根据权利要求10所述的薄膜半导体器件，

所述第二绝缘膜对所述光线的透射率，在照射所述光线前小于37％，在照射所述光线后为37％以上。

12.根据权利要求10或11所述的薄膜半导体器件，

所述前驱体由有机材料构成，

所述第二绝缘膜是通过照射所述光线使所述有机材料无机化而得到的绝缘膜。

13.根据权利要求10～12中的任一项所述的薄膜半导体器件，

照射所述光线前的所述第二绝缘膜的吸光系数与所述第二绝缘膜的膜厚之积大于1。

14.根据权利要求10～12中的任一项所述的薄膜半导体器件，

照射所述光线后的所述第二绝缘膜的吸光系数与所述第二绝缘膜的膜厚之积为1以下。

15.根据权利要求10～14中的任一项所述的薄膜半导体器件，

还具有在所述结晶半导体薄膜与所述第二绝缘膜之间形成的含有碳的界面层，

所述界面层所含有的碳的浓度，为所述结晶半导体薄膜所含有的作为杂质的碳的浓度的50倍以上。

16.根据权利要求15所述的薄膜半导体器件，

所述界面层所含有的碳的浓度为5×10²⁰(atoms/cm³)以上。