[发明专利]反射基材、背光源单元及反射基材的制造方法无效

专利信息
申请号: 201180005259.X 申请日: 2011-09-08
公开(公告)号: CN102713691A 公开(公告)日: 2012-10-03
发明(设计)人: 西胁利光;森田修幸;石川明彦;山根基宏;林大辅;河井功一;佐藤佑辅 申请(专利权)人: 古河电气工业株式会社
主分类号: G02B5/08 分类号: G02B5/08;B32B3/30;B32B5/18;B32B7/02;F21V7/00;G02F1/13357
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 杨黎峰;李欣
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 反射 基材 背光源 单元 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种反射基材,其用于背光源单元,其特征在于,

对通过测定出反射基材宽度方向的多个点所得的表面凹凸数据进行傅立叶变换,根据所得的频率和强度的关系,在测定点数设为N点时,则波长为128mm以下的波成分的强度为0.6N/128以下。

2.根据权利要求1所述的反射基材,其特征在于,

所述反射基材中,所述表面凹凸数据的最大凹凸量为50μm以下。

3.根据权利要求1所述的反射基材,其特征在于,

所述反射基材为,在其内部具有微细气泡,厚度是0.2mm以上,反射率是90%以上,结晶度是30%以上。

4.根据权利要求1所述的反射基材,其特征在于,

在所述反射基材的表面涂敷有软质球珠。

5.一种背光源单元,其特征在于,包括:

权利要求1至权利要求4中任一项所述的反射基材;

设置于所述反射基材之上的导光板;

设置于所述导光板侧方的光源。

6.一种反射基材的制造方法,其用于制造背光源单元所使用的发泡性反射基材,其特征在于,

包括:使基材发泡的工序;以拉伸度为1.1~1.8进行拉伸并且以压缩度为0.6~0.8进行压缩的工序,

对所得基材的宽度方向的多个点进行测定从而得到表面凹凸信息,

对所得的表面凹凸信息进行傅立叶变换,从而得到频率和强度的关系,

在测定点数设为N点时,将与波长128mm以下相对应频率的强度全部是0.6N/128以下的判断为合格。

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