[发明专利]凹陷半导体衬底

权利要求书

1.一种装置，包括：

半导体衬底，具有：

第一表面，

第二表面，与所述第一表面相对设置，其中所述第一表面的至少部分被凹陷以形成所述半导体衬底的凹陷区域，以及

一个或者多个过孔，形成于所述半导体衬底的所述凹陷区域中以在所述半导体衬底的所述第一表面与所述第二表面之间提供电或者热通路；以及

裸片，耦合到所述半导体衬底，所述裸片电耦合到所述在半导体衬底的所述凹陷区域中形成的所述一个或者多个过孔。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述半导体衬底的凹陷区域具有比所述半导体衬底的在所述凹陷区域外部的区域的第二厚度更小的第一厚度。

3.根据权利要求1所述的装置，其中：

所述裸片耦合到所述半导体衬底的所述第一表面；

所述裸片耦合到所述凹陷区域；并且

所述裸片在倒装芯片配置中耦合到所述半导体衬底。

4.根据权利要求3所述的装置，还包括：

重新分布层，(i)形成于所述半导体衬底的所述第二表面上并且(ii)电耦合到所述一个或者多个过孔以路由所述裸片的电信号。

5.根据权利要求4所述的装置，还包括：

一个或者多个封装互连结构，(i)耦合到所述半导体衬底的所述第二表面并且(ii)电耦合到所述重新分布层以进一步路由所述裸片的所述电信号。

6.根据权利要求5所述的装置，其中所述一个或者多个封装互连结构包括焊球或者金属杆中的至少一种。

7.根据权利要求5所述的装置，其中：

所述重新分布层为第一重新分布层；

所述一个或者多个封装互连结构为第一组封装互连结构；并且

所述装置还包括：

第二重新分布层，(i)形成于所述半导体衬底的所述第一表面上并且(ii)电耦合到所述一个或者多个过孔以进一步路由所述裸片的所述电信号；以及

第二组封装互连结构，(i)耦合到所述半导体衬底的所述第一表面并且(ii)电耦合到所述第二重新分布层以进一步路由所述裸片的所述电信号。

8.根据权利要求5所述的装置，其中所述裸片为第一裸片，所述装置还包括：

第二裸片，(i)耦合到所述凹陷区域并且(ii)在倒装芯片配置中耦合到所述半导体衬底的所述第一表面，所述第二裸片电耦合到所述一个或者多个过孔。

9.根据权利要求5所述的装置，其中所述裸片为第一裸片，所述装置还包括：

第二裸片，(i)耦合到所述凹陷区域并且(ii)在倒装芯片配置中耦合到所述半导体衬底的所述第二表面，所述第二裸片电耦合到所述一个或者多个过孔。

10.根据权利要求5所述的装置，还包括：

印刷电路板，使用所述一个或者多个封装互连结构耦合到所述半导体衬底。

11.根据权利要求5所述的装置，其中所述半导体衬底为第一半导体衬底，所述装置还包括：

第二半导体衬底，使用所述一个或者多个封装互连结构耦合到所述第一半导体衬底。

12.根据权利要求2所述的装置，其中所述凹陷区域是通过凹陷所述第一表面的第一部分而形成的第一凹陷区域，所述装置还包括：

所述半导体衬底的一个或者多个第二凹陷区域，通过凹陷所述第一表面的一个或者多个第二部分来形成，其中所述半导体衬底的具有所述第二厚度的所述区域设置于所述第一凹陷区域与所述一个或者多个第二凹陷区域之间。

13.根据权利要求12所述的装置，其中所述一个或者多个过孔为一个或者多个第一过孔，所述装置还包括：

一个或者多个第二过孔，形成于所述一个或者多个第二凹陷区域中，以在所述半导体衬底的所述第一表面与所述第二表面之间提供电通路。

14.根据权利要求13所述的装置，还包括：

重新分布层，形成于所述半导体衬底的所述第二表面上，所述重新分布层电耦合到(i)所述一个或者多个第一过孔和(ii)所述一个或者多个第二过孔以路由所述裸片的电信号；以及

一个或者多个封装互连结构，(i)耦合到所述一个或者多个第二凹陷区域和(ii)所述半导体衬底的所述第一表面，所述一个或者多个封装互连结构使用所述一个或者多个第二过孔电耦合到所述裸片。