[发明专利]凹陷半导体衬底

说明书

相关申请的交叉引用

本公开内容要求对2011年1月24日提交的第13/012,644号美国专利申请的优先权，该专利申请要求要求2010年2月3日提交的第61/301,125号美国临时专利申请、并且2010年3月22日提交的第61/316,282号美国临时专利申请、并且2010年4月5日提交的第61/321,068号美国临时专利申请、并且2010年4月16日提交的第61/325,189号美国临时专利申请的优先权，这些临时专利申请的全部说明书除了与本说明书不一致的那些章节(如果有)之外出于所有目的通过整体引用而结合于此。

技术领域

本公开内容的实施例涉及集成电路领域，并且更具体地涉及用于封装组件的凹陷半导体衬底的技术、结构和配置。

背景技术

这里提供的背景描述是出于大体上呈现本公开内容的上下文这样的目的。当前提名的发明人的工作在它在这一背景章节中被描述的程度上以及该描述的可能在提交时另外不合适作为现有技术而限定的方面既未明确也未暗示地承认为相对于本公开内容的现有技术。

集成电路器件(比如晶体管)形成于在尺寸上不断缩减成更小尺度的裸片或者芯片上。裸片的尺度的收缩正在对目前用来对去往或者来自半导体裸片的电信号路由的常规衬底制作和/或封装组装技术提出挑战。例如层叠衬底技术可能未在衬底上产生充分小的特征以与形成于裸片上的互连或者其它信号路由特征的更精细间距对应。

发明内容

在一个实施例中，本公开内容提供一种装置，该装置包括：半导体衬底，其具有第一表面，与第一表面相对设置的第二表面，其中第一表面的至少部分被凹陷以形成半导体衬底的凹陷区域，以及一个或者多个过孔，形成于半导体衬底的凹陷区域中以在半导体衬底的第一表面与第二表面之间提供电或者热通路；以及裸片，耦合到半导体衬底，该裸片电耦合到在半导体衬底的凹陷区域中形成的一个或者多个过孔。

在另一实施例中，本公开内容提供一种方法，该方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底具有(i)第一表面和(ii)与第一表面相对设置的第二表面；凹陷第一表面的至少部分以形成半导体衬底的凹陷区域；在半导体衬底的凹陷区域中形成一个或者多个过孔以在半导体衬底的第一表面与第二表面之间提供电或者热通路；以及将裸片耦合到半导体衬底，该裸片电耦合到在半导体衬底的凹陷区域中形成的一个或者多个过孔。

附图说明

结合附图通过下文具体描述将容易理解本公开内容的实施例。为了便于这一描述，相似参考标记表示相似结构要素。在附图的各图中通过示例而不是通过限制来图示这里的实施例。

图1至图19示意地图示了用于包括具有凹陷区域的半导体衬底的各种示例封装组件的配置。

图20是用于制作包括具有凹陷区域的半导体衬底的封装组件的方法的工艺流程图。

图21是用于制作包括具有凹陷区域的半导体衬底的封装组件的另一方法的工艺流程图。

图22是用于制作包括具有凹陷区域的半导体衬底的封装组件的又一方法的工艺流程图。

具体实施方式

本公开内容的实施例描述用于具有凹陷区域的半导体衬底的技术、结构和配置以及相关联的封装组件。

该描述可以使用基于视角的描述(比如上/下、之上/之下和顶部/底部)。这样的描述仅用来便于讨论而并非旨在于使这里描述的实施例的应用限于任何特定定向。

出于本公开内容的目的，短语“A/B”意味着A或者B。出于本公开内容的目的，短语“A和/或B”意味着“(A)、(B)或者(A和B)”。出于本公开内容的目的，短语“A、B和C中的至少一个”意味着“(A)、(B)、(C)、(A和B)、(A和C)、(B和C)或者(A、B和C)”。出于本公开内容的目的，短语“(A)B”意味着“(B)或者(AB)”，也就是说，A为可选要素。

以在理解要求保护的主题内容时最有帮助的方式，将各种操作依次描述为多个分立操作。然而描述顺序不应解释为意味着这些操作必然依赖于顺序。具体而言，可以不按呈现顺序执行这些操作。在附加实施例中，可以执行附加的操作和/或可以省略描述的操作。

该描述使用短语“在一个实施例中”、“在实施例中”或者类似言语，每个短语可以指代相同或者不同实施例中的一个或者多个实施例。另外，如关于本公开内容的实施例而使用的术语“包括”、“包含”、“具有”等是同义的。