[发明专利]体连结不对称N型场效应晶体管

权利要求书

1.一种不对称N型场效应晶体管，包括：

源极区域，经由沟道耦合到漏极区域；

栅极结构，在所述沟道的至少部分上方；

晕圈注入，至少部分设置于所述沟道中，其中所述晕圈注入被设置成比所述漏极区域更接近所述源极区域；以及

体连结，耦合到所述沟道。

2.如权利要求1所述的不对称N型场效应晶体管，其中所述不对称N型场效应晶体管可操作用于充当对称N型场效应晶体管。

3.如权利要求1所述的不对称N型场效应晶体管，其中所述晕圈注入部分地设置于所述源极区域中。

4.如权利要求1所述的不对称N型场效应晶体管，其中通过成角度注入过程形成所述晕圈注入。

5.如权利要求4所述的不对称N型场效应晶体管，其中所述成角度注入过程使用所述栅极结构掩蔽所述漏极区域的至少部分。

6.如权利要求1所述的不对称N型场效应晶体管，其中所述体连结包括H栅极、T栅极、肖特基结构和体-源极连结中的至少一个。

7.如权利要求1所述的不对称N型场效应晶体管，其中所述不对称N型场效应晶体管包括不对称绝缘体上硅N型场效应晶体管。

8.一种半导体器件，包括多个不对称N型场效应晶体管，其中所述多个不对称N型场效应晶体管中的每个晶体管包括：源极区域，经由沟道耦合到漏极区域；栅极结构，在所述沟道的至少部分上方；晕圈注入，至少部分设置于所述沟道中；以及体连结，耦合到所述沟道，其中所述晕圈注入被设置成比所述漏极区域更接近所述源极区域。

9.如权利要求8所述的半导体器件，其中所述多个不对称N型场效应晶体管中的至少一个晶体管可操作用于充当对称N型场效应晶体管。

10.如权利要求8所述的半导体器件，其中所述半导体器件不包括对称场效应晶体管。

11.如权利要求8所述的半导体器件，其中通过成角度注入过程形成所述晕圈注入，所述成角度注入过程使用所述栅极结构掩蔽所述漏极区域的至少部分。

12.如权利要求8所述的半导体器件，其中所述体连结包括H栅极、T栅极、肖特基结构和体-源极连结中的至少一个。

13.如权利要求8所述的半导体器件，其中所述多个不对称N型场效应晶体管包括多个不对称绝缘体上硅N型场效应晶体管。

14.一种不对称N型场效应晶体管，包括：源极区域；漏极区域；P型沟道；晕圈注入，至少部分设置于所述沟道中；栅极结构；以及体连结，其中所述晕圈注入被设置成比所述漏极区域更接近所述源极区域，并且所述不对称N型场效应晶体管由于所述体连结和不对称晕圈注入而可操作用于充当对称N型场效应晶体管。

15.如权利要求14所述的不对称N型场效应晶体管，其中所述晕圈注入部分地设置于所述源极区域中。

16.如权利要求14所述的不对称N型场效应晶体管，其中所述体连结包括H栅极、T栅极、肖特基结构和体-源极连结中的至少一个。

17.如权利要求14所述的不对称N型场效应晶体管，其中所述不对称N型场效应晶体管包括不对称绝缘体上硅N型场效应晶体管。

18.如权利要求14所述的不对称N型场效应晶体管，还包括源极扩展注入和漏极扩展注入。

19.如权利要求14所述的不对称N型场效应晶体管，其中所述成角度晕圈注入包括硼和铟中的至少一种。

20.一种用于形成不对称N型场效应晶体管的方法，包括：

形成源极区域和经由沟道耦合到所述源极区域的漏极区域；

形成在所述沟道的至少部分上方的栅极结构；

执行成角度注入以形成至少部分在所述沟道中的晕圈注入，其中所述晕圈注入被设置成比所述漏极区域更接近所述源极区域；以及

形成耦合到所述沟道的体连结。

21.如权利要求20所述的方法，其中所述不对称N型场效应晶体管可操作用于充当对称N型场效应晶体管。

22.如权利要求20所述的方法，其中所述晕圈注入部分地设置于所述源极区域中。