[发明专利]硅通孔光刻对准与配准

权利要求书

1.一种制造集成电路结构的方法，所述方法包括：

在衬底内形成第一开口，所述开口具有特定的长度、宽度与深度；

使用至少一种填充材料来填充所述第一开口；

构图在所述衬底之上的保护材料，所述保护材料包括工艺控制标记并且包括位于所述第一开口之上并与所述第一开口对准的第二开口；以及

通过所述保护材料内的所述第二开口从所述第一开口去除所述填充材料，

所述工艺控制标记包括所述保护材料内的凹陷，所述凹陷仅部分延伸通过所述保护材料，以便所述衬底在所述工艺控制标记之下的部分不受所述填充材料的去除的影响。

2.根据权利要求1的方法，其中所述工艺控制标记没有完全延伸通过所述保护材料。

3.根据权利要求1的方法，所述保护材料保护所述衬底的不在所述第二开口之下的部分。

4.根据权利要求1的方法，所述填充材料的所述去除包括会损坏所述衬底的工艺，以及所述保护材料保护所述衬底不受所述填入材料的所述去除的影响。

5.根据权利要求1的方法，所述工艺控制标记被形成在所述衬底的切痕区域之上。

6.一种制造集成电路结构的方法，所述方法包括：

在硅衬底内形成第一开口；

将多晶硅材料沉积到所述第一开口中；

构图在所述硅衬底之上的有机光致抗蚀剂，所述有机光致抗蚀剂包括工艺控制标记并包括位于所述第一开口之上并且与所述第一开口对准的第二开口；以及

进行反应离子蚀刻，以通过所述有机光致抗蚀剂内所述第二开口从所述第一开口去除所述多晶硅材料，

所述工艺控制标记包括所述有机光致抗蚀剂内的凹陷，所述凹陷仅部分延伸通过所述有机光致抗蚀剂，以便所述硅衬底在所述工艺控制标记之下的部分不受所述反应离子蚀刻影响。

7.根据权利要求6的方法，其中所述工艺控制标记没有完全延伸通过所述有机光致抗蚀剂。

8.根据权利要求6的方法，所述有机光致抗蚀剂保护所述硅衬底的不在所述第二开口之下的部分。

9.根据权利要求6的方法，所述反应离子蚀刻包括会损坏所述硅衬底的工艺，并且所述有机光致抗蚀剂和氧化物衬里保护所述硅衬底不受所述填充材料的所述去除的影响。

10.根据权利要求6的方法，所述工艺控制标记被形成在所述硅衬底的切痕区域之上。

11.一种制造集成电路结构的方法，所述方法包括：

在衬底内形成第一开口；

使用至少一种填充材料来填充所述第一开口；

构图在所述衬底上的一个或多个结构；

构图在所述衬底之上的保护材料，所述保护材料包括工艺控制标记并包括位于所述第一开口之上并与所述第一开口对准的第二开口；以及

通过所述保护材料内的所述第二开口从所述第一开口去除所述填充材料，

所述工艺控制标记位于所述结构之上并与所述结构对准，以便所述衬底在所述工艺控制标记之下的部分不受所述填充材料的去除的影响。

12.根据权利要求11的方法，其中所述结构包括不受所述填充材料的所述去除的影响的物质。

13.根据权利要求11的方法，所述保护材料保护所述衬底的不在所述第二开口之下的部分。

14.根据权利要求11的方法，其中所述填充材料的所述去除包括会损坏所述衬底的工艺，以及所述保护材料、衬里以及保护衬垫保护所述衬底不受所述填充材料的去除的影响。

15.根据权利要求11的方法，所述工艺控制标记被形成在所述衬底的切痕区域之上。