[发明专利]结构体的制造方法和液体排出头用基板的制造方法有效
| 申请号： | 201180005841.6 | 申请日： | 2011-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN102741155A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 寺崎敦则;久保田雅彦;柬理亮二;福本能之 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B41J2/05;B41J2/16 |
| 代理公司： | 北京魏启学律师事务所 11398 | 代理人： | 魏启学 |
| 地址： | 日本东京都大*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 结构 制造 方法 液体 出头 用基板 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅基板的加工方法，其包括：
设置第一硅基板、第二硅基板和包括多个凹部的中间层的组合，所述中间层设置在所述第一硅基板和所述第二硅基板之间；
在所述第一硅基板的与所述中间层的接合面相对的表面上，通过使用第一掩模，进行所述第一硅基板的蚀刻而形成贯通所述第一硅基板的第一贯通口，并露出对应于所述中间层的多个凹部的中间层部分；
通过去除构成多个凹部的底部的部分而在所述中间层上形成多个开口；和
通过使用在其上形成多个开口的中间层作为掩模进行所述第二硅基板的第二蚀刻而形成贯通所述第二硅基板的第二贯通口。
2.根据权利要求1所述的方法，其中在所述设置中，所述第一硅基板和所述第二硅基板经由所述中间层接合在一起。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述中间层是树脂层、氧化硅膜、氮化硅膜、碳化硅膜、不同于硅的金属膜或其氧化物膜或氮化物膜。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一蚀刻是干法蚀刻。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一蚀刻是晶体各向异性蚀刻。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二蚀刻是干法蚀刻。
7.根据权利要求5所述的方法，其中所述第一硅基板的面方向是[110]和所述第二硅基板的面方向是[100]。
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