[发明专利]半导体基板、电子器件及半导体基板的制造方法

权利要求书

1.一种半导体基板，包括：

衬底基板，其表面为硅结晶；

Si_xGe_1-xC外延结晶，其形成于所述硅结晶上的部分区域；以及

III族氮化物半导体结晶，其形成于所述Si_xGe_1-xC外延结晶上，

其中，0≤x＜1。

2.根据权利要求1所述的半导体基板，其中：

还包括形成于所述硅结晶上、具有露出所述硅结晶的开口且阻碍结晶生长的阻碍体；

所述Si_xGe_1-xC外延结晶形成于所述开口内部，

其中，0≤x＜1。

3.根据权利要求1所述的半导体基板，其中：

在所述硅结晶与所述Si_xGe_1-xC外延结晶之间还具有Si_xGe_1-xC变质层，所述Si_xGe_1-xC变质层是形成于所述硅结晶表面的Si_xGe_1-x层的表面在碳的作用下发生变质而形成的，其中，0≤x＜1。

4.根据权利要求1所述的半导体基板，其中：

在所述硅结晶与所述Si_xGe_1-xC外延结晶之间还包括外延生长的Si_xGe_1-x外延层，其中，0≤x＜1。

5.根据权利要求4所述的半导体基板，其中：

在所述Si_xGe_1-x外延层与所述Si_xGe_1-xC外延结晶之间还包括Si_xGe_1-xC变质层，所述Si_xGe_1-xC变质层是所述Si_xGe_1-x外延结晶的表面在碳的作用下发生变质而形成的，其中，0≤x＜1。

6.根据权利要求4所述的半导体基板，其中：

所述Si_xGe_1-x外延层具有选自构成pn结隔离的P型半导体层及N型半导体层中的一个以上的半导体层，其中，0≤x＜1。

7.根据权利要求4所述的半导体基板，其中：

所述Si_xGe_1-x外延层具有选自构成隧道结部的P⁺型半导体层及N⁺型半导体层中的一个以上的半导体层，其中，0≤x＜1。

8.一种电子器件，具有将权利要求1所述的半导体基板中的所述III族氮化物半导体结晶作为活性层的电子元件。

9.根据权利要求8所述的电子器件，其中：

所述半导体基板中，在所述Si_xGe_1-xC外延结晶上的多个区域具有所述III族氮化物半导体结晶，其中，0≤x＜1；

所述电子元件形成于各个所述III族氮化物半导体结晶；

多个所述电子元件中的至少两个所述电子元件相互串联或并联连接。

10.根据权利要求8所述的电子器件，其中：

还包括使用所述半导体基板中的所述硅结晶形成的硅元件；

所述硅元件与所述电子元件相互连接。

11.一种半导体基板的制造方法，包括：

在表面为硅结晶的衬底基板的所述硅结晶上形成阻碍结晶生长的阻碍体的步骤；

形成从所述阻碍体的表面抵达所述硅结晶的开口的步骤；

在所述开口内部露出的所述硅结晶上形成Si_xGe_1-xC外延结晶的步骤；以及

在所述Si_xGe_1-xC外延结晶上形成III族氮化物半导体结晶的步骤，

其中，0≤x＜1。