[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，具有：

配置于第1行第1列的第1反相器；

配置于第2行第2列的第2反相器；

配置于第1行第2列的第2存取晶体管；以及

配置于第2行第1列的第1存取晶体管；

其中，该第1反相器具有：第1驱动晶体管、第1负载晶体管、以及第1栅极配线，

该第1驱动晶体管为由以下组件构成：

包围在第1岛状半导体的周围上的第1栅极绝缘膜；

其第1面邻接于第1栅极绝缘膜的第1栅极电极；

配置于第1岛状半导体的上部的第1个第1导电型高浓度半导体；以及

配置于第1岛状半导体的下部的第2个第1导电型高浓度半导体；

该第1负载晶体管为由以下组件构成：

其第1面邻接于第1栅极电极的第2面的第2栅极绝缘膜；

以邻接第2栅极绝缘膜的第2面的一部分的方式形成的第1弧状半导体；

配置于第1弧状半导体的上部的第1个第2导电型高浓度半导体；以及

配置于第1弧状半导体的下部的第2个第2导电型高浓度半导体；

第1栅极配线为从第1栅极电极延伸且由与第1栅极电极相同的材料构成；

该第2反相器具有：第2驱动晶体管、第2负载晶体管、以及第2栅极配线，

该第2驱动晶体管为由以下组件构成：

包围在第2岛状半导体的周围上的第3栅极绝缘膜；

其第1面邻接于第3栅极绝缘膜的第2栅极电极；

配置于第2岛状半导体的上部的第3个第1导电型高浓度半导体；以及

配置于第2岛状半导体的下部的第4个第1导电型高浓度半导体；

该第2负载晶体管为由以下组件构成：

以邻接第4栅极绝缘膜的第2面的一部分的方式形成的第2弧状半导体，其中，该第4栅极绝缘膜的第1面为邻接于第2栅极电极的第2面；

配置于第2弧状半导体的上部的第3个第2导电型高浓度半导体；以及

配置于第2弧状半导体的下部的第4个第2导电型高浓度半导体；

该第2栅极配线为从第2栅极电极延伸且由与第2栅极电极相同的材料构成；

该第2存取晶体管为具有：

至少一部分邻接于第3岛状半导体的周围上的第5栅极绝缘膜；

部分邻接于第5栅极绝缘膜的第3栅极电极；

配置于第3岛状半导体的上部的第5个第1导电型高浓度半导体；以及

配置于第3岛状半导体的下部的第6个第1导电型高浓度半导体；

该第1存取晶体管为具有：

至少一部分邻接于第4岛状半导体的周围上的第6栅极绝缘膜；

部分邻接于第6栅极绝缘膜的第4栅极电极；

配置于第4岛状半导体的上部的第7个第1导电型高浓度半导体；以及

配置于第4岛状半导体的下部的第8个第1导电型高浓度半导体；

第1栅极配线的上表面较第1个第2导电型高浓度半导体的上端低；

第2栅极配线的上表面较第3个第2导电型高浓度半导体的上端低。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第1弧状半导体的弦长为与第1栅极电极的直径相同或较短；

所述第2弧状半导体层的弦长为与第2栅极电极的直径相同或较短。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

第1驱动晶体管的第1个第1导电型高浓度半导体与第2个第1导电型高浓度半导体间的长度以及第2驱动晶体管的第3个第1导电型高浓度半导体与第4个第1导电型高浓度半导体间的长度，

为较第1存取晶体管的第7个第1导电型高浓度半导体与第8个第1导电型高浓度半导体间的长度以及第2存取晶体管的第5个第1导电型高浓度半导体与第6个第1导电型高浓度半导体间的长度为短。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第1驱动晶体管的第1个第1导电型高浓度半导体与第2个第1导电型高浓度半导体间的长度以及第2驱动晶体管的第3个第1导电型高浓度半导体与第4个第1导电型高浓度半导体间的长度，

为较第1负载晶体管的第1个第2导电型高浓度半导体与第2个第2导电型高浓度半导体间的长度以及第2负载晶体管的第3个第2导电型高浓度半导体与第3个第2导电型高浓度半导体间的长度为短。