[发明专利]基板处理装置及基板处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及利用处理液对半导体晶片等板状基板的表面进行处理的基板处理装置及基板处理方法。

背景技术

以往，公开有例如利用由硫酸和双氧水混合而成的处理液来去除形成在半导体晶片表面上的抗蚀剂的基板处理装置(参照专利文献1)。在该基板处理装置中，向在埋设有加热器的保持板上保持的半导体晶片的表面喷洒处理液。由于处理液被提供给如上所述进行加热的半导体晶片的表面，因此处理液借助于半导体晶片而被加热，从而能够提高其抗蚀剂去除能力，作为结果，能够从半导体晶片的表面可靠地去除抗蚀剂。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-66400号公报

发明内容

发明所要解决的课题

但是，在上述的以往的基板处理装置中，由于只是简单地在被加热的半导体晶片上喷上处理液，因此处理液的加热效率低，并且处理液的利用效率也不佳。

本发明是鉴于上述问题而完成的，提供能够在更高效地加热并高效使用处理液来对板状基板的表面进行处理的基板处理装置及基板处理方法。

用于解决课题的手段

本发明的基板处理装置具有处理液供给机构，该处理液供给机构向保持在以规定的旋转轴为中心进行旋转的基板保持部上的板状基板的表面供给处理液，该基板处理装置利用所述处理液对所述板状基板的表面进行处理，该基板处理装置具有：处理液保持板，其与被保持在所述基板保持部上的所述板状基板的表面隔着规定的间隔相对配置，在与所述板状基板的表面之间保持处理液；以及加热部，其与所述处理液保持板的包含与所述基板保持部的所述旋转轴对应的位置在内的规定区域接触，对该规定区域进行加热，所述处理液供给机构向与所述基板保持部一起旋转的所述板状基板的表面与被所述加热部加热的处理液保持板之间的间隙供给所述处理液。

本发明的基板处理方法使用上述基板处理装置，该基板处理方法包括：处理液供给步骤，从所述处理液供给机构向与所述基板保持板一起旋转的所述板状基板的表面与所述处理液保持板之间的间隙供给处理液；以及处理液保持步骤，在所述板状基板的表面与被所述加热部加热的所述处理液保持板之间的间隙中保持所述处理液。

发明效果

根据本发明的基板处理装置及基板处理方法，由于被处理液保持板加热的处理液以层状维持在该处理液保持板与旋转的板状基板之间，其中该处理液保持板是被加热部加热的，利用该被加热的同时以层状维持的处理液来对板状基板的表面进行处理，因此能够高效地使用而不浪费处理液地对该板状基板的表面进行处理。并且，由于加热部与处理液保持板的包含与基板保持部的旋转轴对应的位置在内的规定区域接触，因此能够使在处理液保持板与板状基板的表面之间保持的处理液的温度在旋转轴附近的中心部和其他的部分上均匀化。

附图说明

图1是示出本发明的第1实施方式的基板处理装置的结构的图。

图2是示出在图1所示的基板处理装置中使用的基板保持板的从图1的箭头X所示的方向观察到的构造的俯视图。

图3A是示出图1所示的基板处理装置的动作步骤的流程图(其1)。

图3B是示出图1所示的基板处理装置的动作步骤的流程图(其2)。

图4是示出图1所示的基板处理装置中的处理液保持板的上升动作的图。

图5是示出图1所示的基板处理装置中的半导体晶片的送入的图。

图6是示出图1所示的基板处理装置中的处理液保持板的下降动作的图。

图7是示出图1所示的基板处理装置中的基板保持板的旋转动作的图。

图8是示出图1所示的基板处理装置中的处理液的供给动作的图。

图9是示出基板处理装置的动作步骤的另一例子的流程图。

图10是示出本发明的第2实施方式的基板处理装置的结构的图。

图11是示出与保持在基板保持板上的半导体晶片的表面相对配置的处理液保持板的第1变形例的剖视图。

图12是示出上述处理液保持板的第1变形例的立体图。

图13是示出处理液保持板的第2变形例的剖视图。

图14是示出处理液保持板的上述第2变形例的俯视图(从图13的箭头Y观察到的图)。

图15是示出处理液保持板的第3变形例的放大剖视图。

图16是示出处理液保持板的上述第3变形例的俯视图(从图15的箭头Z的方向观察到的图)。

图17是示出处理液保持板的第4变形例的放大剖视图。