[发明专利]光半导体、使用了它的光半导体电极和光电化学单元、以及能量系统有效
申请号: | 201180007084.6 | 申请日: | 2011-03-03 |
公开(公告)号: | CN102858456A | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
发明(设计)人: | 野村幸生;铃木孝浩;宫田伸弘;羽藤一仁 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | B01J35/02 | 分类号: | B01J35/02;B01J23/08;B01J27/24;C01G15/00;C25B1/04;C25B9/00;C25B11/06;H01M8/06 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 使用 电极 光电 化学 单元 以及 能量 系统 | ||
1.一种光半导体,是含有In、Ga、Zn、O和N的光半导体,其中,具有在通式:In2xGa2(1-x)O3(ZnO)y中、O的一部分由N置换了的组成,且x和y满足0.2<x<1以及0.5≤y。
2.根据权利要求1所述的光半导体,其中,在所述通式中,x为0.5。
3.根据权利要求2所述的光半导体,其中,在所述通式中,y为1以上、6以下。
4.根据权利要求3所述的光半导体,其中,在所述通式中,y为2或6。
5.根据权利要求1所述的光半导体,其中,具有纤维锌矿型结晶构造。
6.一种光半导体电极,其中,具有导电基板、和在所述导电基板上所设置的光半导体层,
在所述光半导体层中,
所述光半导体层的与所述导电基板的接合面邻近区域,由通式:In2xGa2(1-x)O3(ZnO)y所表示的组成物A构成,且x和y满足0.2<x<1以及0.5≤y,
所述光半导体层的表面邻近区域,由具有在所述通式中O的一部分被N置换了的组成的组成物B构成,
所述组成物A的费米能级比所述组成物B的费米能级大。
7.根据权利要求6所述的光半导体电极,其中,在所述通式中,x为0.5。
8.根据权利要求7所述的光半导体电极,其中,在所述通式中,y为1以上、6以下。
9.根据权利要求8所述的光半导体电极,其中,在所述通式中,y为2或6。
10.根据权利要求6所述的光半导体电极,其中,所述组成物B具有纤维锌矿型结晶构造。
11.根据权利要求6所述的光半导体电极,其中,所述光半导体层由以下第一层及第二层形成,即,
在所述导电基板上所配置的、含有所述组成物A的第一层;
在所述第一层上所配置的、含有所述组成物B的第二层。
12.根据权利要求6所述的光半导体电极,其中,在所述光半导体层中,氮元素的浓度沿着所述光半导体层的厚度方向、从所述接合面邻近区域朝向所述表面邻近区域增加。
13.一种光电化学单元,其中,具有:
光半导体电极,其含有导电基板和光半导体层,所述光半导体层配置在所述导电基板上、且含有权利要求1所述的光半导体;
相反极,其与所述导电基板电连接;
电解液,其与所述光半导体层和所述相反极的表面相接触,且含有水;
容器,其收容所述光半导体电极、所述相反极和所述电解液,
并且,通过对所述光半导体层进行光照射,而使氢发生。
14.一种光电化学单元,其中,具有:
权利要求6所述的光半导体电极;
与所述光半导体电极的导电基板电连接的相反极;
与所述光半导体电极的光半导体层和所述相反极的表面相接触、且含有水的电解液;
收容所述光半导体电极、所述相反极和所述电解液的容器,
并且,通过对所述光半导体层进行光照射,而使氢发生。
15.一种能量系统,其中,具有:
权利要求13或14所述的光电化学单元;
与所述光电化学单元经由第一配管连接,且使在所述光电化学单元内生成的氢得以贮藏的贮氢器;
与所述贮氢器经由第二配管连接,且将在所述贮氢器中所贮藏的氢转换成电力的燃料电池。
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