[发明专利]OCT装置

权利要求书

1.一种OCT装置，其特征在于：

具备：

输出光的光源；

分支部，对从所述光源输出的光进行分支并输出第1分支光以及第2分支光；

探针部，将从所述分支部输出的第1分支光照射于被测定对象物、且输入来自被测定对象物的光并进行引导；

合波部，将被所述探针部引导而到达的光作为试样光进行输入并且将从所述分支部输出而到达的第2分支光作为参照光进行输入，对这些输入的参照光和试样光进行合波，从而输出由该合波而产生的干涉光；以及

光检测器，检测从所述合波部输出的干涉光的强度，

所述光检测器具有：

硅基板，由第1导电类型的半导体构成、具有互相相对的第1主面以及第2主面、并且在所述第1主面侧形成有第2导电类型的半导体区域；以及

传送电极部，设置于所述硅基板的所述第1主面上并且传送所产生的电荷，

在所述硅基板上，在所述第2主面侧形成具有比所述硅基板高的杂质浓度的第1导电类型的积累层，并在所述第2主面上的至少与第2导电类型的所述半导体区域相对的区域形成不规则的凹凸，

所述硅基板的所述第2主面上的形成有不规则的所述凹凸的区域光学性地露出。

2.如权利要求1所述的OCT装置，其特征在于：

所述硅基板中，对应于第2导电类型的所述半导体区域的部分从所述第2主面侧起被薄化，并保留该部分的周边部分。

3.如权利要求1或者2所述的OCT装置，其特征在于：

第1导电类型的所述积累层的厚度大于不规则的所述凹凸的高低差。

4.如权利要求1~3中任意一项所述的OCT装置，其特征在于：

所述硅基板的厚度被设定在像素间距以下。