[发明专利]OCT装置

说明书

技术领域

本发明涉及OCT装置。

背景技术

OCT（Optical Coherence Tomography光学相干断层扫描）装置是一种使用了低相干光的干涉仪。OCT装置能够在光的行进方向以相干长度左右的位置分辨能力将特定的位置上被反射或者散射的光的强度分布作为断层图像并进行检测。OCT装置例如可以被用于诊断眼球和牙齿等。在专利文献1中记载有将OCT装置应用于眼科诊断的技术。在专利文献1所记载的OCT装置中，在输出近红外区域波长的光的光源被使用，并且，作为检测近红外区域波长的光的光检测器而可以使用CCD（Charge Coupled Device：电荷耦合器件）摄像元件。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利申请公开2009-034480号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

关于CCD摄像元件一般是使用廉价而且容易制造的硅基板。然而，使用了硅基板的CCD摄像元件在900nm以上的波长区域其灵敏度会急剧劣化。虽然通过对硅基板实施薄化处理，从而就能够维持在1000nm附近的灵敏度，但是可能会产生标准具（etalon）现象。标准具现象是一种在入射的被检测光与已入射的被检测光在相对于入射面的面上进行反射的光之间发生干涉的现象。为此，标注具现象会影响到在近红外波长区域中的检测特性。

本发明其目的在于提供一种OCT装置，其具备使用硅基板、并且在近红外波长区域具有充分灵敏度特性的光检测器。

解决技术问题的手段

本发明所涉及的OCT装置具备：输出光的光源；分支部，对从光源输出的光进行分支从而输出第1分支光以及第2分支光；探针部，将从分支部输出的第1分支光照射于被测定对象物并且输入来自被测定对象物的光从而进行引导；合波部，将被探针部引导而到达的光作为试样光输入并且将从分支部输出而到达的第2分支光作为参照光输入，对这些输入的参照光和试样光进行合波，从而输出由该合波而产生的干涉光；光检测器，检测从合波部输出的干涉光的强度；光检测器具有：由第1导电类型（first conductivity-type）的半导体构成、并具有互相相对的第1主面以及第2主面并且在第1主面侧形成第2导电类型的半导体区域的硅基板；被设置于硅基板的第1主面上并且传送所产生的电荷的传送电极部；在硅基板上，既在第2主面侧形成具有比硅基板高的杂质浓度的第1导电类型的积累层（accumulation layer），又在第2主面上的至少与第2导电类型（second conductivity-type）的半导体区域相对的区域形成不规则的凹凸，并且在硅基板的第2主面上的形成有不规则的凹凸的区域进行光学性地露出。

在本发明所涉及的OCT装置中，在具有光检测器的硅基板上，不规则的凹凸被形成于第2主面上的至少与第2导电类型的半导体区域相对的区域。为此，入射到光检测器的干涉光在该区域被反射、散射或者扩散，并在硅基板内进行长距离行进。由此，入射到光检测器的干涉光其大部分不是透过光检测器（硅基板）而是被硅基板所吸收。因此，在上述光检测器中，入射到光检测器的干涉光的行进距离变长，并且干涉光被吸收的距离也变长。其结果则提高了在近红外波长区域中的灵敏度特性。

在硅基板的第2主面侧形成具有比硅基板高的杂质浓度的第1导电类型的积累层。为此，在第2主面侧并非由光产生的不用载流子被再结合，从而能够减少暗电流。第1导电类型的上述积累层抑制了在硅基板的第2主面附近由干涉光而产生的载流子被该第2主面捕获。为此，由干涉光而产生的载波能够高效率地向第2导电类型的半导体区域和硅基板的pn接合部移动，并提高了光检测器的光检测灵敏度。

在本发明所涉及的OCT装置中，对于硅基板也可以将对应于第2导电类型的半导体区域的部分从第2主面侧起被薄化，并保留该部分的周边部分。在此情况下，就能够获得将硅基板的第1主面以及第2主面侧分别作为光入射面的半导体光检测元件。

在本发明所涉及的OCT装置中，第1导电类型的积累层的厚度也可以为大于不规则的凹凸的高低差。在此情况下，如以上所述能够确保由积累层所起到的作用效果。

在本发明所涉及的OCT装置中，硅基板其厚度可以被设定在像素间距以下。在此情况下，就能够抑制在像素之间发生串扰。

发明效果

根据本发明就能够提供一种OCT装置，其具备使用硅基板并且在近红外的波长区域具有充分灵敏度特性的光检测器。

附图说明

图1是表示OCT装置的概略构成图。

图2是表示光检测器的立体图。