[发明专利]每个平台研磨站的多载具头中的研磨制程的调节无效
申请号: | 201180007355.8 | 申请日: | 2011-05-06 |
公开(公告)号: | CN102725827A | 公开(公告)日: | 2012-10-10 |
发明(设计)人: | D·H·麦;S·朱;X·胡 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 胡林岭;刘佳 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 每个 平台 研磨 多载具头 中的 调节 | ||
1.一种对一处理站中的一基板的一研磨制程进行调节的方法,该处理站具有至少一第一载具头与一第二载具头,该第一载具头与该第二载具头用以利用一共同研磨垫片固定与处理一基板,该方法包含以下步骤:
使一单一基板固定在置于该第一载具头上的一第一固定环中,同时该第二载具头系保持清空;
将该第一载具头与该单一基板推向该研磨垫片的一研磨表面,同时使置于该第二载具头上的该第二固定环接触该研磨表面,该第二载具头保持清空;
提供该单一基板与该研磨垫片间的相对运动;以及
改变该第二固定环对该研磨垫片的一压力与该第二载具头相对于该研磨垫片的一旋转速度中至少一者。
2.如权利要求1所述的方法,该方法进一步包含以下步骤:
以一第一压力将置于该第一载具头上的该第一固定环推向该研磨垫片的该研磨表面。
3.如权利要求2所述的方法,其中置于该第二载具头上的该第二固定环系以一第二压力被推向该研磨表面,该第二压力系低于该第一压力。
4.如权利要求2所述的方法,其中置于该第二载具头上的该第二固定环系以一第二压力被推向该研磨表面,该第一压力与该第二压力系实质相等。
5.如权利要求1所述的方法,其中该第一载具头系以相对于该研磨垫片的一第一速率旋转,且该第二载具头系以相对于该研磨垫片的一第二速率旋转,该第二速率系低于该第一速率。
6.如权利要求1所述的方法,其中该第一载具头系以相对于该研磨垫片的一第一速率旋转,且该第二载具头系以相对于该研磨垫片的一第二速率旋转,该第二速率系实质相等于该第一速率。
7.如权利要求1所述的方法,其中该第一固定环系以一第一压力被推向该研磨垫片的该研磨表面,且置于该第二载具头上的该第二固定环系以一第二压力被推向该研磨垫片的该研磨表面。
8.一种对一处理站中的至少一第一基板的一研磨制程进行调节的方法,该处理站用以在一共同研磨垫片上处理至少一个大于该第一基板的基板,该方法包含以下步骤:
将该第一基板固定在一第一固定环中,该第一固定环系置于至少一个使用的载具头上;
将置于该至少一个使用的载具头上的该第一固定环以及置于至少一个清空的载具头上的一第二固定环推向该研磨垫片的一研磨表面,该至少一个清空的载具头系保持为无基板;以及
提供该研磨垫片与该至少一个使用的载具头间的相对运动。
9.如权利要求8所述的方法,其中该第一固定环系以一第一压力被推向该研磨垫片,且该第二固定环系以一第二压力被推向该研磨表面,该第二压力系低于该第一压力。
10.如权利要求8所述的方法,其中该第一固定环系以一第一压力被推向该研磨垫片,且该第二固定环系以一第二压力被推向该研磨表面,该第一压力系与该第二压力实质相等。
11.如权利要求8所述的方法,该方法进一步包含以下步骤:
提供该清空的载具头与该研磨垫片间的相对运动。
12.如权利要求11所述的方法,其中该使用的载具头系以一第一速率旋转,且该清空的载具头系以一第二速率旋转,该第二速率系低于该第一速率。
13.如权利要求11所述的方法,其中该第一固定环系以一第一压力被推向该研磨垫片,且该第二固定环系以一第二压力被推向该研磨表面,该第二压力系低于该第一压力。
14.如权利要求11所述的方法,其中该第一固定环系以一第一压力被推向该研磨垫片,且该第二固定环系以一第二压力被推向该研磨表面,该第一压力与该第二压力系实质相等。
15.一种用于处理一基板的方法,该方法包括以下步骤:
接收一处理站中的至少一基板,该处理站系用以利用至少一第一载具头与一第二载具头而于一共同研磨垫片上处理大于该至少一基板的数个基板;
将该至少一基板定位于一固定环上,该固定环系置于该第一载具头上,同时使该第二载具头保持清空;
将该第一载具头与该第二载具头推向该研磨垫片的一研磨表面;以及
提供该研磨垫片与该第一载具头间的相对运动。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造