[发明专利]每个平台研磨站的多载具头中的研磨制程的调节

说明书

技术领域

本发明的实施例大体系关于研磨一基板(例如一半导体基板)。更具体而言，实施例系关于对每个平台研磨站的多载具头中一基板的研磨制程进行调节。

背景技术

化学机械研磨(CMP)是高密度积体电路制造中常用的一种制程，该制程用以平面化或研磨沉积在基板上的一材料层。基板系被提供至一研磨站且固定于一载具头中，载具头系可控制地将基板推抵固定在一平台上的移动研磨垫片。在存在研磨流体时，藉由提供接触于基板的一特征侧之间以及相对于该研磨垫片移动基板，系可有效应用CMP。透过化学与机械作用的结合，可移除基板的接触研磨表面的特征侧上的材料。

习知的CMP研磨站可于每个平台包含多个载具头，使得可在一平台所支撑的一共同研磨垫片上同时处理多个基板。习知研磨站在藉由一次研磨大于一个的基板及/或降低工具覆盖区而增加处理量时是有效果的，当待研磨基板数等于每个平台的载具头数量时，这些站都可被有效使用。在这些站中的制程配方系属已知，且可使用例如研磨流体浓度、研磨流体分布等因子以及在一单一垫片上进行研磨的多个基板所产生的热来提供最佳去除率及去除特性。然而，也有在研磨制程中未使用一或更多载具头的实例。未使用一或更多载具头会对在使用的载具头中进行研磨的其他基板的研磨制程产生不利影响。

因此，需要一种用于对被研磨的基板进行研磨参数控制的方法与设备，该基板系于每个平台站的多载具头中的一个载具头中进行研磨，其他载具头则不含基板。

发明内容

本发明一般系提供了一种用于在一或更多载具头中不设有基板时模拟正于每个平台站的多载具头中进行研磨的一基板的方法与设备。在一实施例中说明了一种对一处理站中的一基板的一研磨制程进行调节的方法，该处理站具有至少一第一载具头与一第二载具头，该第一载具头与该第二载具头用以利用一共同研磨垫片固定与处理一基板。该方法包含：使一单一基板固定在置于该第一载具头上的一第一固定环中，同时该第二载具头系保持清空；将该第一载具头与该单一基板推向该研磨垫片的一研磨表面，同时使置于该第二载具头上的第二固定环接触该研磨表面，该第二载具头保持清空；提供该单一基板与该研磨垫片间的相对运动；以及改变该第二固定环对该研磨垫片的一压力与该第二载具头相对于该研磨垫片的一旋转速度中至少一者。

在另一实施例中说明了一种对一处理站中的至少一第一基板的一研磨制程进行调节的方法，该处理站用以在一共同研磨垫片上处理至少一个大于该第一基板的基板。该方法包含：将该第一基板固定在一第一固定环中，该第一固定环系置于至少一个使用的载具头上；将该第一固定环以及一第二固定环推向该研磨垫片的一研磨表面，该第一固定环置于该至少一个使用的载具头上，该第二固定环置于至少一个清空的载具头上，该至少一个清空的载具头系保持为无基板；以及提供该研磨垫片与该至少一个使用的载具头间的相对运动。

在另一实施例中说明了一种用于处理一基板的方法，该方法包括：接收一处理站中的至少一基板，该处理站系用以利用至少一第一载具头与一第二载具头而于一共同研磨垫片上处理大于该至少一基板的数个基板；将该至少一基板定位于一固定环上，该固定环系置于该第一载具头上，同时使该第二载具头保持清空；将该第一载具头与该第二载具头推向该研磨垫片的研磨表面；以及提供该研磨垫片与该第一载具头间的相对运动。

附图说明

为使本发明的上述特征可更详细被了解，系可参照实施例而对上文中简述的本发明进行更特定说明，其中部分实施例系说明于如附图式中。然应注意，如附图式仅说明本发明的典型实施例，且因此不应被视为限制其范畴的用，因为本发明也可允许其他等效实施例。

图1为一研磨模组的平面图。

图2为图1的研磨站的一实施例的部分截面图。

图3为一图表，该图表表示固定于图2的研磨站的其中一个载具头中的基板的去除率。

图4为一图表，该图表表示固定于图2的研磨站的其中一个载具头中的基板的去除特性。

图5为一图表，该图表表示得自固定于图2的研磨站的其中一个载具头中的研磨基板的拓朴资料。

图6为一流程图，该流程图说明本发明方法的一实施例。

为助于了解，系尽可能地使用相同的元件符号来代表图式中相同的元件。应知在一实施例中所揭示的元件系可有利的用于其他实施例中，无需特定说明。

具体实施方式