[发明专利]双腔室处理系统

权利要求书

1.一种用于处理基材的双腔室处理系统，所述双腔室处理系统包括：

第一工艺腔室，所述第一工艺腔室具有第一真空泵以维持所述第一工艺腔室的第一处理空间中的第一操作压力，其中所述第一处理空间可通过第一闸阀来选择性地隔离，所述第一闸阀布置在所述第一处理空间与所述第一真空泵的低压侧之间；

第二工艺腔室，所述第二工艺腔室具有第二真空泵以维持所述第二工艺腔室的第二处理空间中的第二操作压力，其中所述第二处理空间可通过第二闸阀来选择性地隔离，所述第二闸阀布置在所述第二处理空间与所述第二真空泵的低压侧之间；

共享真空泵，所述共享真空泵耦合到第一和第二处理空间，以将各个处理空间中的压力降低到低于临界压力水平，其中所述共享真空泵可与所述第一工艺腔室、所述第二工艺腔室、所述第一真空泵，或所述第二真空泵的任一者选择性地隔离；以及

共享气体面板，所述共享气体面板耦合到所述第一工艺腔室和所述第二工艺腔室的各个，以将一种或多种工艺气体提供到第一和第二工艺腔室。

2.如权利要求1所述的双腔室处理系统，还包括：

第一三通阀，所述第一三通阀布置在所述共享气体面板与所述第一工艺腔室之间，以将来自所述共享气体面板的工艺气体提供到所述第一工艺腔室的所述第一处理空间，或者将来自所述共享气体面板的所述工艺气体转向到前线导管中，其中所述前线导管耦合到所述共享真空泵；以及

第二三通阀，所述第二三通阀布置在所述共享气体面板与所述第二工艺腔室之间，以将来自所述共享气体面板的所述工艺气体到所述第二工艺腔室的所述第二处理空间，或者将来自所述共享气体面板的所述工艺气体转向到前线导管中，其中所述前线导管耦合到所述共享真空泵。

3.如权利要求1所述的双腔室处理系统，还包括：

质流控制器，所述质流控制器将来自所述共享气体面板的期望的总气体流量提供到第一和第二工艺腔室；

第一流量控制岐管，所述第一流量控制岐管包括第一入口、一第一出口以及多个第一孔口，所述第一孔口选择性地被耦合在所述第一入口与所述第一出口之间，其中所述第一入口耦合到所述质流控制器；以及

第二流量控制岐管，所述第二流量控制岐管包括第二入口、一第二出口以及多个第二孔口，所述第二孔口选择性地被耦合在所述第二入口与所述第二出口之间，其中所述第二入口耦合到所述质流控制器；

其中所述多个第一孔口和所述多个第二孔口通过选择性地使流体流动通过所述多个第一孔口的一个或多个和所述多个第二孔口的一个或多个，而在所述第一出口与所述第二出口之间提供期望的流量比例，并且其中当使气体流动通过设备时，设置在所述质流控制器与第一和第二流量控制岐管的各自的入口之间的导管的传导性足以提供塞流动条件。

4.如权利要求3所述的双腔室处理系统，其中所述第一出口耦合到第一工艺腔室的第一气体输送区域，并且所述第二出口耦合到所述第一工艺腔室的第二气体输送区域。

5.如权利要求4所述的双腔室处理系统，其中所述第一出口还耦合到第二工艺腔室的第一气体输送区域，并且所述第二出口还耦合到所述第二工艺腔室的第二气体输送区域。

6.如权利要求1所述的双腔室处理系统，还包括：

第一基材支撑件，所述第一基材支撑件布置在所述第一工艺腔室内，其中所述第一基材支撑件具有一个或多个通道，以使热传递流体循环，从而控制所述第一基材支撑件的温度；

第二基材支撑件，所述第二基材支撑件布置在所述第二工艺腔室内，其中所述第二基材支撑件具有一个或多个通道，以使所述热传递流体循环，从而控制所述第二基材支撑件的温度；以及

共享热传递流体源，所述共享热传递流体源具有出口以将所述热传递流体到所述第一基材支撑件和所述第二基材支撑件的各自的一个或多个通道，并且所述共享热传递流体源具有入口以接收来自所述第一基材支撑件和所述第二基材支撑件的所述热传递流体。

7.根据权利要求6所述的双腔室处理系统，还包括：

传送腔室，所述传送腔室具有耦合到所述传送腔室的多个如权利要求6所述的双腔室处理系统。

8.如权利要求7所述的双腔室处理系统，还包括：

质流校验器，所述质流校验器选择性地流体耦合到所述多个双工艺腔室的各个工艺腔室，以校验且校正耦合到各个工艺腔室的各自的质流计。