[发明专利]双腔室处理系统有效
申请号: | 201180007654.1 | 申请日: | 2011-04-25 |
公开(公告)号: | CN102741975A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 明·徐;安德鲁·源;伊万斯·里;杰瑞德·阿哈默德·里;詹姆斯·P·克鲁斯;克里·林恩·柯布;马丁·杰夫·萨里纳斯;安克·舍内尔;伊兹拉·罗伯特·高德;约翰·W·雷恩 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/205;H01L21/3065 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 王安武 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 双腔室 处理 系统 | ||
技术领域
本发明的实施例一般地涉及基材处理系统。
背景技术
诸如在共享传送腔室上具有多个工艺腔室位的群集工具等处理系统,被使用来降低系统与制造成本并且改善工艺产能。然而,传统的工艺腔室单独地配备有便于在工艺腔室中执行特定工艺的工艺资源。这样的系统在拥有及操作上是昂贵的。
因此,本案发明人已经开发了具有共享资源的双腔室处理系统,该双腔室处理系统能够有利地减小系统成本同时提高工艺产能。
发明内容
本文公开了用于双腔室处理系统的方法和设备。在一些实施例中,本文公开的双腔室处理系统的一个或多个可耦合到传送腔室。在一些实施例中,双腔室处理系统包括第一工艺腔室与第二工艺腔室以及多个共享资源,多个共享资源在第一与第二工艺腔室之间,第一工艺腔室和第二工艺腔室具有单独的处理空间。在一些实施例中共享资源包括共享真空泵、共享气体面板或者共享热传递源的至少一者。
在一些实施例中,双腔室处理系统包括:第一工艺腔室,第一工艺腔室具有第一真空泵以维持第一工艺腔室的第一处理空间中的第一操作压力,并且第一工艺腔室具有布置在第一工艺腔室内的第一基材支撑件,其中第一处理空间可通过第一闸阀来选择性地隔离,第一闸阀布置在第一处理空间与第一真空泵的低压侧之间,并且其中第一基材支撑件具有一个或多个通道,以使得热传递流体循环,从而控制第一基材支撑件的温度;第二工艺腔室,第二工艺腔室具有第二真空泵以维持第二工艺腔室的第二处理空间中的第二操作压力,并且第二工艺腔室具有布置在第二工艺腔室内的第二基材支撑件,其中第二处理空间可通过布置在第二处理空间与第二真空泵的低压侧之间的第二闸阀来选择性地隔离,并且其中第二基材支撑件具有一个或多个通道,以使得热传递流体循环,从而控制第二基材支撑件的温度;共享真空泵,该共享真空泵耦合到第一和第二处理空间,以在打开第一和第二闸阀之前将各个处理空间中的压力降低到低于临界压力水平,其中共享真空泵可与第一工艺腔室、第二工艺腔室、第一真空泵,或第二真空泵的任一者选择性地隔离;共享气体面板,该共享气体面板耦合到第一工艺腔室和第二工艺腔室的各个,以将一种或多种工艺气体提供到第一和第二工艺腔室;以及共享热传递流体源,该共享热传递流体源具有出口以将热传递流体提供到第一基材支撑件和第二基材支撑件的各自的一个或多个通道,并且共享热传递流体源具有入口以接收来自第一基材支撑件和第二基材支撑件的热传递流体。
以下将描述本发明的其他的和另外的实施例。
附图说明
可通过参考附图中所示的本发明的说明性实施例,来理解本发明的实施例,本发明的这些实施例在上文简要概述并且将在下文更加详细地描述。然而,应该注意,附图进图示了本发明的典型实施例并且因此不认为是本发明的范围的限制,这是因为本发明容许其他等效的实施例。
图1描绘了根据本发明的一些实施例的处理系统的示意性俯视图。
图2A描绘了根据本发明的一些实施例的双腔室处理系统的示意性侧视图。
图2B描绘了根据本发明的一些实施例的双腔室处理系统的示意性侧视图。
图3描绘了根据本发明的一些实施例的生理性气体分配系统的示意图。
图4A-C分别描绘了根据本发明的一些实施例、耦合到图1的气体分配系统的气体输送区域的局部示意图。
为了便于理解,已经尽可能地使用相同的附图标记来标识附图所共用的相同元件。附图未按尺寸绘制并且为了清晰起见而被简化。可以设想,一个实施例的元件和特征可有利地结合在其他实施例中,而不需要额外陈述。
具体实施方式
本文公开了用于双腔室处理系统的方法和设备。所发明的双腔室处理系统有利地结合例如诸如共享真空泵、共享气体面板等资源,以降低系统成本,同时维持双腔室处理系统的各个腔室中的处理质量。此外,当在双腔室处理系统的各个腔室之间使用共享资源时,所发明的方法有利地控制诸如降低压力、排空、净化等腔室工艺的操作。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造