[发明专利]用于连续井的去耦电容的系统和方法

权利要求书

1.一种去耦电容结构，包括：

第一井，其具有第一掺杂物极性和形成在其中的第一高剂量植入物；

第二井，其与所述第一井相邻，并且具有与所述第一掺杂物极性相反的第二掺杂物极性，所述第二井具有形成在其中的第二高剂量植入物；

至少一层绝缘层，其形成在所述第一高剂量植入物和所述第二高剂量植入物上；

第一组井带，其形成在所述第一井中；

第二组井带，其形成在所述第二井中；

第一导体，其形成在与所述第一高剂量植入物相邻的所述第一井上；以及

第二导体，其形成在与所述第二高剂量植入物相邻的所述第二井上；

其中所述第一组井带和所述第二导体共同与第一电节点相连，并且所述第二组井带和所述第一导体共同与第二电节点相连；以及

其中所述第一组井带、所述第二组井带和所述高剂量植入物中的至少一种与掺杂物极性相比为非对称。

2.根据权利要求1所述的去耦电容结构，其中所述第一电节点与电源电压节点相对应，并且所述第二电节点与接地节点相对应。

3.根据权利要求1所述的去耦电容结构，其中所述第二井包括P材料，并且所述第一井包括形成在所述P衬底材料中的N型区域。

4.根据权利要求3所述的去耦电容结构，其中所述第二组井带包括具有P+掺杂物极性的第一井带和具有N+掺杂物极性的第二井带。

5.根据权利要求1所述的去耦电容结构，其中所述第一井和所述第二井分别与一组逻辑晶体管的第一井和第二井相对应。

6.一种形成去耦电容的方法，包括：

提供具有第一掺杂物极性并界定第一井区域的衬底；

在所述衬底中形成与所述第一井区域相邻的第二井区域，所述第二井区域具有与所述第一掺杂物极性相反的第二掺杂物极性；

在所述第一井区域中形成第一高剂量植入物；

在所述第二井区域中形成第二高剂量植入物；

在所述第一井中形成第一组井带；

在所述第二井中形成第二组井带；

在所述第一高剂量植入物和所述第二高剂量植入物上形成至少一层绝缘层；

在所述第一井区域上形成第一导体，在所述第二井区域上形成第二导体；

将所述第一组井带和所述第二导体互连以界定第一电节点；以及

将所述第二组井带和所述第一导体互连以界定第二电节点；

其中形成所述第一高剂量植入物、所述第二高剂量植入物、所述第一组井带和所述第二组井带中的至少一种，使其与掺杂物极性相比为非对称。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述第一电节点与电源电压节点相对应，并且所述第二电节点与接地节点相对应。

8.根据权利要求6所述的方法，其中所述第二井包括P材料，并且所述第一井包括形成在所述P衬底材料中的N型区域。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述第二组井带包括具有P+掺杂物极性的第一井带和具有N+掺杂物极性的第二井带。

10.根据权利要求8所述的方法，包括形成所述第一井和所述第二井，使其被至少一组逻辑晶体管共享。

11.一种半导体装置，包括：

多个逻辑装置，其以规则模式设置在第一井和第二井中，其中所述第一井具有第一掺杂物极性，所述第二井具有与所述第一掺杂物极性相反的第二掺杂物极性；

去耦电容，其与所述规则模式一致地设置在所述第一井和所述第二井中，所述去耦电容包括在所述第一井中的第一组井带、在所述第二井中的第二组井带、形成在所述第一井中的第一高剂量植入物上的第一导体以及形成在所述第二井中的第二高剂量植入物上的第二导体；

其中，所述第一组井带和所述第二导体共同与第一电节点相连，并且所述第二组井带和所述第一导体共同与第二电节点相连；以及

其中，所述第一组井带、所述第二组井带和所述高剂量植入物中的至少一种与掺杂物极性相比为非对称。

以及在其中形成第一高剂量植入物。

12.根据权利要求11所述的半导体，其中所述第一电节点与电源电压节点相对应，并且所述第二电节点与接地节点相对应。

13.根据权利要求11所述的半导体，其中所述第二井包括P材料，并且所述第一井包括形成在所述P衬底材料中的N型区域。